炭化ケイ素焼結体の製造方法

開放特許情報番号
L2011000606
開放特許情報登録日
2011/2/10
最新更新日
2015/10/9

基本情報

出願番号 特願2007-227317
出願日 2007/9/3
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2009-057259
公開日 2009/3/19
登録番号 特許第5077937号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 炭化ケイ素焼結体の製造方法
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 炭化ケイ素焼結体、ウェハーステージ、静電チャック、ダミーウェハー、半導体製造用装置用部品、機械加工用精密機械部品、耐化学腐食雰囲気メカニカルシール、原子炉用特殊部品等耐摩耗部品
目的 原料の簡単な均一混合と懸濁液を利用したスリップキャスト成形ができる炭化ケイ素焼結体の製造方法の提供。
効果 化合物Al↓3BC↓3はSiCとの懸濁液を容易に作ることができ、この懸濁液を用いればスリップキャストによって任意形状の成形体を安価に作ることができる。そして、この成形体を焼結することにより、Al↓8B↓4C↓7化合物と同様な焼結効果があり、理論密度95%程度以上の焼結体が得られる。
技術概要
 
この技術では、SiC焼結体の製造方法において、焼結助剤を構成するAl:B:Cの比率(モル比)を3:1:3とする。また、この焼結方法において、焼結助剤がAl↓3BC↓3化合物粉末を含有しているものとする。具体的には、焼結助剤としてアルミニウムまたはアルミニウム化合物の両方か一方、ならびにBまたはホウ素化合物の両方か一方、ならびに炭素または炭化可能な化合物の両方か一方を用い、混合物を一般的なボールミルやアトライターなどの混合機で混合し、静水圧プレス等で成形し、粉末成形体とする。この成形体を黒鉛坩堝に入れ、黒鉛炉等にて、Ar等の不活性雰囲気で、1700〜1900℃で焼結する。より完全な緻密体を製造する必要がある場合は、加圧焼結(Hot−press,HP)やスパークプラズマ焼結(Spark−Plasma−Sintering、SPS)を利用して焼結する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2018 INPIT