電子素子

開放特許情報番号
L2011000603
開放特許情報登録日
2011/2/10
最新更新日
2015/10/9

基本情報

出願番号 特願2007-220476
出願日 2007/8/28
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2009-054814
公開日 2009/3/12
登録番号 特許第5294238号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 電子素子
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 ショットキー電極、電子素子
目的 温度や周辺の雰囲気に対して、特性が大きく変動することがない、ショットキー電極を有する電子素子の提供。
効果 素子の動作雰囲気や温度に対して、素子特性の変動を抑えることができる。その結果、雰囲気ガス(特に水素)に依存した素子特性の変動を抑えることができる。また、高温動作時にショットキー電極からの電流リークを減少させることで素子の安定化に貢献することができる。
技術概要
この技術では、電子素子は、半導体基板とショットキー電極との間に窒化シリコン(SixNy)薄膜が設けてあるものとする。この電子素子において、窒化シリコン(SixNy)薄膜の厚さが0.5nmから10nmであることが好ましい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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