素子基板とその製造法

開放特許情報番号
L2011000601
開放特許情報登録日
2011/2/10
最新更新日
2015/10/9

基本情報

出願番号 特願2007-200530
出願日 2007/8/1
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2009-038179
公開日 2009/2/19
登録番号 特許第5212968号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 素子基板とその製造法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 酸化亜鉛薄膜、素子基板
目的 流通量の多い、安定した供給の得られる基板材質をも使用できる、自発分極方向、すなわち、結晶成長方向を制御した酸化亜鉛の提供。
効果 亜鉛面を成長面とする結晶成長が実現可能となり、これによって、原子レベルで平坦な材料の提供が可能となることから、素子を形成した際の凹凸が原因となった電界集中等の問題が回避可能となる。また、アクセプターとなる不純物の導入の容易性が高まることから、酸化亜鉛、および、酸化亜鉛固溶体を用いた電子素子、光素子のより高効率な製造と、より高性能な素子特性の実現がもたらされる。
技術概要
この技術では、素子基板は、基板と酸化亜鉛薄膜との間にスピネル型構造の緩衝層を有し、酸化亜鉛薄膜は、ウルツ鉱型の結晶構造を有し、その表面が亜鉛(0001)面であるものとする。この素子基板においては、基板の(11−20)面に緩衝層を有していることが好ましい。また、このような素子基板の製造方法は、基板上に酸化亜鉛又は/及びその固溶体の結晶を気相成長させるに当たり、亜鉛成分に難固溶性の金属を加え、これを加熱した基板上に蒸着することで緩衝層を形成し、この緩衝層の表面に酸化亜鉛薄膜を成長させるものとする。この製造方法においては、膜形成成分の蒸着に当たり、基板を所定の温度に加熱して、緩衝層を形成することが好ましい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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