磁気構造解析方法とそれに使用するスピン偏極イオン散乱分光装置

開放特許情報番号
L2011000599
開放特許情報登録日
2011/2/10
最新更新日
2015/10/9

基本情報

出願番号 特願2007-190277
出願日 2007/7/23
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2009-216387
公開日 2009/9/24
登録番号 特許第5196362号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 磁気構造解析方法とそれに使用するスピン偏極イオン散乱分光装置
技術分野 電気・電子
機能 検査・検出
適用製品 磁気構造解析方法、スピン偏極イオン散乱分光装置
目的 最表面2〜3原子層における元素と原子層とを選別した磁気構造解析を行う方法とその装置の提供。
効果 試料最表面の2〜3原子層において、元素と原子層とを選別して表面スピン解析を行うことができる。このため、最表面2〜3原子層程度の深さ領域における磁気構造解析が可能となる。
技術概要
この技術では、磁気構造解析法は、試料から散乱した散乱イオン強度を入射イオン種のスピン別に計測し、その計測データにより試料表面の磁気構造を解析するものとする。この方法に使用するスピン偏極イオン散乱分光装置は、スピン偏極イオンを発生させるスピン偏極イオン発生部と、スピン偏極イオン発生部からのスピン偏極イオンを所望のエネルギーで試料表面に入射させるスピン偏極イオンビームラインと、試料を保持する真空槽と、真空槽内に位置して、試料に照射されて散乱したスピン偏極イオンを計測する計測器よりなるものとする。入射イオン種としては、ヘリウムイオンに限らず、電子スピン偏極可能なすべてのイオン(例えばCd+、Sr+、Zn+、Ba+)や原子(例えば、Li、Na、K、Rb、Cs)を使用することが出来る。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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