酸化銅薄膜低摩擦材料とその成膜方法

開放特許情報番号
L2011000588
開放特許情報登録日
2011/2/10
最新更新日
2017/12/27

基本情報

出願番号 特願2005-505804
出願日 2004/4/23
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 WO2004/094687
公開日 2004/11/4
登録番号 特許第4686360号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 酸化銅薄膜低摩擦材料とその成膜方法
技術分野 金属材料
機能 材料・素材の製造、表面処理
適用製品 酸化銅薄膜低摩擦材料、摺動装置
目的 低い摩擦係数を持つ薄膜の形成を容易にすることのできる、新しい技術手段の提供。
効果 大気中においても、また宇宙空間等の超高真空環境においても極めて低レベルの、たとえば0.06以下の摩擦係数をもつ酸化銅薄膜を提供できる。
技術概要
 
この技術では、成膜用基板上に真空減圧下、CuOを主とする酸化銅薄膜をプラズマ成膜することを特徴とする酸化銅薄膜低摩擦材料の成膜方法を提供する。この成膜方法においては、希ガスと酸素ガスとの混合ガスを導入して酸化銅薄膜を成膜することが好ましい。また、酸化銅薄膜は結晶配向させることが好ましい。さらに、CuOをターゲットとしてプラズマスパッタ成膜することが好ましい。そして、基板上の酸化銅薄膜であって、その組成においてCuOを主として、大気中および3×10↑(−5)Paの真空減圧中のいずれにおいても摩擦係数が0.06以下であることを特徴とする酸化銅薄膜低摩擦材料を提供する。さらに、この材料は、プラズマ成膜された薄膜であることが好ましく、酸化銅薄膜は結晶配向されていることが好ましい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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