固体中の欠陥測定方法および欠陥測定装置

開放特許情報番号
L2011000577
開放特許情報登録日
2011/2/10
最新更新日
2015/10/9

基本情報

出願番号 特願2003-146906
出願日 2003/5/23
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構、学校法人慶應義塾
公開番号 特開2004-349582
公開日 2004/12/9
登録番号 特許第3830461号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 固体中の欠陥測定方法および欠陥測定装置
技術分野 電気・電子
機能 検査・検出
適用製品 欠陥測定方法、欠陥測定装置、半導体結晶、半導体ナノ結晶、格子欠陥
目的 半導体結晶、半導体ナノ結晶などの固体中に微量に存在する格子欠陥のサイズを求めることや格子欠陥分布をイメージングすることができ、半導体デバイスの光応答性能を決める電気伝導特性の評価などに適応することができる固体中の欠陥測定方法および欠陥測定装置の提供。
効果 半導体結晶、半導体ナノ結晶などの固体中に微量に存在する格子欠陥のサイズを求めることや格子欠陥分布をイメージングすることができ、デバイスの光応答性能を決める電気伝導特性の評価に適応できる固体中の欠陥測定方法が提供できる。さらに顕微鏡とコンパクトなレーザおよび光学系を組み合わせることによって、コヒーレントフォノンの緩和測定あるいはキャリアの緩和測定装置を製品として設計することが可能となる。
技術概要
この技術では、フェムト秒パルスレーザをビームスプリッタにより2分し、強度の強い方をポンプ光、強度の弱い方をプローブ光として用い、それらポンプ光およびプローブ光のうち、プローブ光をポンプ光に対して光学遅延回路で時間遅延し、固体試料へのレンズでの集光によるポンプ光照射によって固体試料中に位相が揃った格子振動であるコヒーレントフォノンを励起する。そして、その固体試料へのレンズでの集光によるプローブ光照射で固体試料の反射率変化を測定することで、その反射率変化における振動振幅の減衰時間に対応する励起されたコヒーレントフォノンの緩和時間を求め、τ↓p=1/N↓tσv↓(th)(τ↓pはコヒーレントフォノンの緩和時間、N↓tは欠陥密度、σは散乱断面積、v↓(th)は熱拡散速度)の式を用いて、散乱断面積σを求めることにより格子欠陥のサイズを求める。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2018 INPIT