酸化亜鉛光触媒薄膜の表面処理方法

開放特許情報番号
L2011000569
開放特許情報登録日
2011/2/10
最新更新日
2015/10/9

基本情報

出願番号 特願2002-044216
出願日 2002/2/21
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2003-236376
公開日 2003/8/26
登録番号 特許第3864214号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 酸化亜鉛光触媒薄膜の表面処理方法
技術分野 金属材料
機能 表面処理
適用製品 酸化亜鉛光触媒薄膜の表面処理方法、酸化亜鉛薄膜
目的 環境浄化等のために使用する酸化亜鉛光触媒薄膜の光触媒活性を向上させる方法の提供。
効果 C−軸配向した酸化亜鉛薄膜へ基板温度が低い条件で、窒素ラジカルを短時間照射するため、ラジカル処理が酸化亜鉛薄膜やその基板に与える影響が殆どなく、200℃程度の基板温度条件で合成された酸化亜鉛に対しても同様のラジカル処理を施して光触媒活性を向上することができる。
技術概要
 
この技術では、基板表面にMOCVD法によってC−軸が基板表面に対して垂直に成長している酸化亜鉛薄膜を成膜した後、さらに、MOCVD装置に搭載されているラジカル源で窒素ラジカルを酸化亜鉛表面に基板の温度50℃から400℃の範囲で、照射することで表面窒素濃度を高めることにより、酸化亜鉛光触媒薄膜の表面処理を行う。MOCVD装置に搭載されているラジカル源で窒素ラジカルを酸化亜鉛薄膜に照射する際には酸化亜鉛薄膜の表面に10×10↑(−2)から1×10↑(−5)Torrの範囲で窒素ラジカルを照射するものとする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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