酸化膜ストレス緩和方法及びその方法を用いた酸化膜構成体

開放特許情報番号
L2011000568
開放特許情報登録日
2011/2/10
最新更新日
2015/10/9

基本情報

出願番号 特願2002-005858
出願日 2002/1/15
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2003-209107
公開日 2003/7/25
登録番号 特許第3864213号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 酸化膜ストレス緩和方法及びその方法を用いた酸化膜構成体
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 酸化膜ストレス緩和方法、半導体デバイス、シリコン基板
目的 基板および酸化膜の損傷を引き起こさずに酸化膜のストレスを緩和する方法の提供。
効果 ラジカル原子を照射することによって酸化膜全体にラジカル原子由来の原子を均一に混入することによって、酸化膜内部あるいは酸化膜とシリコン基板との界面に存在する欠陥を選択的に消滅させ、基板および酸化膜の損傷を引き起こさずに酸化膜のストレスを緩和する方法を提供できる。
技術概要
 
この技術では、シリコン基板上に設けられるシリコン酸化膜に対して窒素ガスを用いてのラジカル窒素原子を照射してシリコン酸化膜中にラジカル窒素原子由来の窒素原子を均一に混入し、この窒素原子をシリコン酸化膜表面あるいはシリコン基板とシリコン酸化膜との界面に偏析することなくシリコン酸化膜全体に原子存在比で1%以上5%以下の窒素原子を均一に存在させることによって、シリコン酸化膜内部あるいはシリコン酸化膜とシリコン基板との界面に存在する欠陥を選択的に消滅させ、シリコン酸化膜のストレスを40〜70%緩和する。この方法においては、酸化膜に内在する非結合電子および構造欠陥を消滅させるものとする。また、シリコン酸化膜は、シリコン基板の熱酸化、シリコン基板のプラズマ酸化および基板へのシリコン酸化物の堆積のうちいずれかの方法によって成膜するものとする。また、窒素ガスを用いてのラジカル窒素原子が、窒素プラズマあるいはマイクロ波を利用して生成されたものとする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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