ダイヤモンド紫外光発光素子

開放特許情報番号
L2011000567
開放特許情報登録日
2011/2/10
最新更新日
2015/10/9

基本情報

出願番号 特願2001-368095
出願日 2001/12/3
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2002-231996
公開日 2002/8/16
登録番号 特許第4019136号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 ダイヤモンド紫外光発光素子
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 ダイヤモンド、紫外光発光素子
目的 ダイヤモンド膜pn接合構造においても紫外発光が得られる紫外光発光素子の提供。
効果 広いバンドギャップを持つダイヤモンドの特性を生かした紫外発光ダイオードを実現し、低電力で動作し効率よく紫外光を得ることが可能となる。また、結晶完全性に優れたn型およびp型半導体ダイヤモンド薄膜の接合構造を理想的な形で実現できる。
技術概要
この技術では、電気伝導性を持つダイヤモンド単結晶{111}表面に形成されたホウ素ドープp型半導体ダイヤモンド薄膜(p型層)表面にアンドープダイヤモンド薄膜(i層)をはさんでn型層としてリンドープn型半導体ダイヤモンド薄膜が積層されたpin接合構造を有し、p型層およびn型層の表面に形成されたオーム性電極を通して通電することでダイヤモンドの自由励起子再結合に起因する235nm(5.27ev)の発光ピークを有する紫外光が発光することを特徴とするダイヤモンド紫外光発光素子を提供する。この紫外線発光素子においては、p型層のホウ素濃度が1×10↑(16)cm↑(−3)以上1×10↑(20)cm↑(−3)以下の濃度で室温移動度が50cm↑2/V・sec以上で、n型層のリン濃度が1×10↑(16)cm↑(−3)以上1×10↑(20)cm↑(−3)以下の濃度で室温移動度が10cm↑2/V・sec以上で、カソードルミネセンスあるいはフォトルミネセンスにおいて、自由励起子の再結合に基因する発光が100Kレベルの低温あるいは室温において観測されるダイヤモンド薄膜により構成されているものとする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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