光触媒効果を利用したリフトオフ法によるパターン形成方法

開放特許情報番号
L2011000563
開放特許情報登録日
2011/2/10
最新更新日
2015/10/9

基本情報

出願番号 特願2001-089084
出願日 2001/3/27
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構、亀井 雅之、三橋 武文
公開番号 特開2002-289499
公開日 2002/10/4
登録番号 特許第3463246号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 光触媒効果を利用したリフトオフ法によるパターン形成方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 薄膜材料、微細パターン形成
目的 デバイスの質や歩留まりを下げずに、プロセスを単純化、高速化、省力化できるパターン形成技術の提供。
効果 この技術の方法を適用することにより従来技術に比べて全体で少なくとも合計3工程の省略が可能になり、省力化、低コスト化に大きく寄与し、かつ、工程省略により各工程の歩留まりの掛算となる全工程の歩留まりも飛躍的な向上をはかることができる。
技術概要
この技術では、表面に光触媒性を持つ基体、あるいは光触媒性を付与した基体を用い、所望のパターンを持つフォトマスクを基体表面近傍に固定する。これをリフトオフ材料となる銀または銅などの可溶性金属のイオンを含む溶媒中に浸してフォトマスクの後方から光線を基体に適正時間照射し、溶媒中の可溶性金属イオンを還元する光触媒効果を用いて基体表面上に可溶性金属膜を析出させ、所望のパターンを持った可溶性金属被覆を基体上に形成させる。次に、パターン形成をもくろむ薄膜をこの基体表面上および可溶性金属被覆上に成膜した後、可溶性金属膜を溶解するエッチング液に適正時間浸し、可溶性金属被覆とその上部に形成されていたパターニングをもくろむ薄膜を一緒に除去することで薄膜へのパターン形成が完了する。エッチングの際は、必要に応じて攪拌等を行う。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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