単結晶の育成方法

開放特許情報番号
L2011000562
開放特許情報登録日
2011/2/10
最新更新日
2015/10/9

基本情報

出願番号 特願2000-363532
出願日 2000/11/29
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2002-167299
公開日 2002/6/11
登録番号 特許第4742254号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 単結晶の育成方法
技術分野 金属材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 LiNb↓(1−x)Ta↓xO↓3(0≦x≦1)単結晶
目的 結晶にクラックが発生しにくいLiNb↓(1−x)Ta↓xO↓3(0≦x≦1)単結晶の製造方法の提供。
効果 DCCZ法における供給原料の粉詰まりなしに、さらに低いクラック発生頻度で、LN単結晶やLT単結晶を育成することができる。また、この方法は、LiNb↓(1−x)Ta↓xO↓3(0≦x≦1)の化学式で示される単結晶の育成においても有効である。
技術概要
この技術では、引き上げる結晶と同じ組成の原料を連続的に供給しながら結晶を引き上げる原料連続供給型二重坩堝CZ法(以下、DCCZ法)によるLiNb↓(1−x)Ta↓xO↓3(0≦x≦1)単結晶の育成方法において、単結晶の育成中に原料溶液中に供給する供給原料のうち重量比で30%以上の粉末を500μm以上の粒径とする。また、供給原料のうち重量比で30%以上の粉末が500〜2000μm、さらには500〜1000μmであることが好ましい。供給原料の粒径が500μm未満であると上記事項が原因と推察される要因から育成した単結晶にクラックの発生頻度が高くなる。逆に2000μmよりも大きくなると単位体積あたりの表面積が小さくなり、原料溶液中に供給した際溶融し難い等の問題がある。よって溶湯制御の観点から考慮すると2000μmよりも小さいことが好ましい。さらに好ましくは500〜1000μmの範囲に粒径をそろえることである。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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