ドーパント元素ドープGeにおけるドーパント元素の分析・測定方法

開放特許情報番号
L2011000543
開放特許情報登録日
2011/2/4
最新更新日
2011/2/4

基本情報

出願番号 特願2009-258108
出願日 2009/11/11
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2010-156678
公開日 2010/7/15
発明の名称 ドーパント元素ドープGeにおけるドーパント元素の分析・測定方法
技術分野 金属材料、無機材料、電気・電子
機能 検査・検出、材料・素材の製造
適用製品 簡便な操作で実施でき、次世代の金属・酸化膜・半導体電界効果型トランジスタのチャネル等として広く利用される。
目的 ドーパント元素ドープGeにおけるドーパントのGe中での存在状態及び存在量を、非破壊・非接触で分析・測定する方法を提供する。
効果 ドーパントのGe中での存在状態(結合状態や存在位置)及び存在量(全体量)を、非破壊・非接触で分析・測定することが可能になった。また、ラマン散乱分光測定による分析であるので対象物がナノスケールの場合も適用可能である。
技術概要
ドーパント元素ドープGeのラマン散乱分光測定で観測されるドーパント元素の局在振動ピークの有無及び大きさを調べることによって、Ge中のドーパント元素の存在状態を知る方法である。尚、ドーパント元素が質量数11のホウ素であり、局在振動ピークの波数が544±1cm↑−↑1であり、ドーパント元素が質量数10のホウ素であり、局在振動ピークの波数が565±1cm↑−↑1であり、ドーパント元素がリンであり、局在振動ピークの波数が342〜345cm↑−↑1である。また、ドーパント元素ドープGeのラマン散乱分光測定で観測されるドーパント元素の局在振動ピークの強度を、290〜301cm↑−↑1に観測されるGeの光学フォノンピーク強度を基準として規格化することによって求め、予め作成されているドーパント元素の濃度と局在振動ピーク強度の比較データから、Ge中にドープされたドーパント元素の濃度を測定する方法である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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