ホウ素ドープ半導体ナノワイヤ及びその製造方法

開放特許情報番号
L2011000542
開放特許情報登録日
2011/2/4
最新更新日
2011/2/4

基本情報

出願番号 特願2009-236883
出願日 2009/10/14
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2010-153791
公開日 2010/7/8
発明の名称 ホウ素ドープ半導体ナノワイヤ及びその製造方法
技術分野 金属材料、無機材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 次世代の縦型立体構造を有する金属・酸化膜・半導体電界効果型トランジスタのチャンネル等として広く利用される。
目的 Bドーピングの際にドーパントガスとしてジボラン(B↓2H↓6)ガスを用いても、半導体ナノワイヤ表面へのホウ素堆積が均一で、成長軸方向に径の均一なホウ素ドープ半導体ナノワイヤ及びその製造方法を提供する。
効果 (コストのかかる)リソグラフィーに代表されるトップダウン手法ではなく、(低コストの)ボトムアップ手法を用いるほか、イオン注入法によらず成長の際に同時にホウ素・ドーピングを行うので、安価なプロセスである。
技術概要
成長軸方向に直径の均一なホウ素ドープ半導体ナノワイヤ3である。尚、ナノワイヤの直径をnmで表すときに、その直径の最大値(R)と最小値(r)との差(R−r)が、ナノワイヤの長さ1μm当たり1nm未満であり、また、半導体ナノワイヤの本体は、Si、Ge若しくはSiGeナノワイヤである。また、基板1と、その基板上に立設されたホウ素ドープ半導体ナノワイヤと、からなる基板付きホウ素ドープ半導体ナノワイヤである。また、工程(1):半導体原料ガスを用いて、基板上にIV族半導体ナノワイヤ本体を成長させ、工程(2):ジボランガスのみを導入することにより、半導体ナノワイヤ本体の表面にホウ素膜4を堆積させ、工程(3):表面にホウ素膜を堆積させたホウ素膜付き半導体ナノワイヤを、半導体ナノワイヤ本体の融点以下の温度で熱アニールすることにより、ホウ素ドープ半導体ナノワイヤ5を製造する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2018 INPIT