炭化ケイ素焼結体とその製造方法

開放特許情報番号
L2011000536
開放特許情報登録日
2011/2/4
最新更新日
2015/10/8

基本情報

出願番号 特願2009-111679
出願日 2009/5/1
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2010-260754
公開日 2010/11/18
登録番号 特許第5397753号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 炭化ケイ素焼結体とその製造方法
技術分野 無機材料、金属材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 簡便な操作で得られ、ウェハーステージ、静電チャック、ダミーウェハー等の半導体製造用装置用部品、機械加工用精密機械部品、耐化学腐食雰囲気メカニカルシール等として広く利用される。
目的 低温での高密度の焼結体を得ることができ、また、良好な塑性変形能をもつ焼結体とその製造方法を提供する。
効果 半導体を製造する機械部品、例えばICウェハーの加工ステージ部品、などに最適である。また、塑性変形能を利用し、塑性加工を行うことができると、複雑形状部品を安価に作製することが可能となる。
技術概要
焼結助剤として、Al、Si、及びCを含有する粉末を用いて焼成する炭化ケイ素焼結体であって、焼結助剤のAl:Si:Cの比率(モル比)が4:1:4である。尚、焼結助剤がAl↓4SiC↓4化合物粉末を含有している。また、焼成温度が14.5×10↑2℃以上で焼結体の相対密度が95%以上である。また、15.0×10↑2℃以上16.5×10↑2℃以下の温度で、ひずみ速度1×10↑−↑4毎秒以上で、−0.5以上のひずみまで塑性変形する。また、焼結助剤として、Al、Si、及びCを含有する粉末を用いて焼成する炭化ケイ素焼結体の製造方法であって、焼結助剤のAl:Si:Cの比率(モル比)が4:1:4である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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