半導体光素子と半導体太陽電池

開放特許情報番号
L2011000517
開放特許情報登録日
2011/2/4
最新更新日
2015/10/8

基本情報

出願番号 特願2009-051993
出願日 2009/3/5
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2010-206074
公開日 2010/9/16
登録番号 特許第5382696号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 半導体光素子と半導体太陽電池
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 半導体光素子、半導体太陽電池
目的 量子ドット導入層を多層化活性層とさせて光吸収能を向上させた、半導体光素子と半導体太陽電池を提供する。
効果 格子不整合のないように量子ドットとその母体の材料関係を制御して、格子不整合による格子歪みに起因する転位等の欠陥の導入を妨ぐ事が出来る。
技術概要
素子は、成長を、固体ソース分子線エピタキシー装置を用いて、n−i−金属、のショットキー接続型太陽電池を得る。基板には、高ドープのn型GaAs(AXT社製2インチ基板)を用い、分子線エピタキシーの成長条件で、n型GaAsバッファー層200nm、n型Al↓0↓.↓3Ga↓0↓.↓7As層500nm、を成長させた後、光検知を行う活性層を成長させるのが好ましい。量子ドットが導入された層が多層化された活性層を有する光素子であって、活性層の格子歪みがなく、この光素子において、量子ドットと、それを導入する母体とが、両者の格子定数が0.5%以下である材料とさせる。光素子において、量子ドットを構成する材料よりも、これらが導入されている母体の材料のバンドギャップエネルギーが大きく、活性層の上下に電極を配してなる太陽電池とさせ、活性層は量子ドットがGaAsからなり、その母体がAl↓xGa↓1↓−↓xAs(0<x≦1)とさせるのが好ましい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2018 INPIT