新規なジブロック共重合体、及びそのジブロック共重合体の自己集合で形成される高移動度・光伝導性異方性ナノワイヤ

開放特許情報番号
L2011000514
開放特許情報登録日
2011/2/4
最新更新日
2015/10/8

基本情報

出願番号 特願2009-041732
出願日 2009/2/25
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2010-195918
公開日 2010/9/9
登録番号 特許第5476561号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 新規なジブロック共重合体、及びそのジブロック共重合体の自己集合で形成される高移動度・光伝導性異方性ナノワイヤ
技術分野 有機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 高移動度・光伝導性異方性ナノワイヤ
目的 電子的又は光起電力的性質を有して高度に秩序化したナノ構造材料を用い、ジブロック共重合体を自己集合させることによって調製した高移動度、光伝導性異方性ナノワイヤを提供する。
効果 親水性供与体のポルフィリン含有基で機能化されたシクロブテン含有化合物(モノマー)、及び疎水性受容体のフラーレン含有基で機能化されたシクロブテン含有化合物(モノマー)を得る事が出来る。
技術概要
式Tで示されるジブロック共重合体を有機溶媒に溶かし、均質な共重合体溶液を基板の上に堆積させ、溶媒を蒸発させ、基板の上に直接ナノワイヤを形成させ、高移動度・光伝導性異方性ナノワイヤを得る。式中、Rはフェニル基、p及びqは1〜1000、Dは親水性供与体のポルフィリン含有基、Aは疎水性受容体のフラーレン含有基。Dは、式D’、D’’で示されるポルフィリン含有基(式中、Mは、Fe、Mg、Zn、Ni、Co、Cu等の二価の金属)、Aは、A’、A’’などで示されるフラーレン含有基とさせるのが好ましい。例えば、7,8−N−4−ヒドロキシフェニルスクシンイミドエンド−トリシクロ[4.2.2.0↑2↑,↑5]デカ−3,9−ジエンと、トリ(エチレングリコール)ジ−p−トルエンスルフォネートとから化合物1とさせ、18−クラウン−6エーテルとで式D1の化合物を得る事が出来る。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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