ノンポーラ型不揮発性メモリー素子

開放特許情報番号
L2011000513
開放特許情報登録日
2011/2/4
最新更新日
2011/2/4

基本情報

出願番号 特願2009-038727
出願日 2009/2/23
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2010-199104
公開日 2010/9/9
発明の名称 ノンポーラ型不揮発性メモリー素子
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 ノンポーラ型不揮発性メモリー素子
目的 稀少元素や有害元素を含有しないノンポーラ型の不揮発性メモリー素子を提供する。
効果 従来より必要とされる材料がアルミニウムだけであり稀少元素や有害元素などの、高価な材料を使用しないノンポーラ型ReRAMを実現できた。
技術概要
単一電極による酸化膜への電圧の変化によって抵抗値が変わる特性を利用したノンポーラ型の不揮発性メモリー素子であって、その酸化膜がアルミの酸化膜である。さらに、その酸化膜を陽極酸化膜とするのがより好ましい。99.99%のアルミニウム板を過塩素酸、エタノール1:4溶液で電界研磨の後、0.3Mシュウ酸溶液を用い20℃、40Vで5時間陽極酸化を行った。水洗、乾燥後に陽極酸化膜の表面に銀ペーストを用い銅線を取り付け上部電極とし、さらにその上にシリコン接着剤を塗り固めて補強した。できたサンプルのI−V特性を図1の回路図で示す装置を用い測定した。図2に測定結果を示す。矢印のa〜iの順に電圧、電流が変化している。はじめのa〜eの部分では定電流ダイオード(CRD)を入れているため、矢印aから矢印bの地点で高抵抗状態から低抵抗状態に変化するが約1.3mA以上の電流は流れない。後半のf〜iの部分ではスイッチを切り替え定電流ダイオードをはずしているので電流制限はない。fからgに移るときに低抵抗状態から高抵抗状態に変化していることがわかる。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【 】
改善効果1 バルクのアルミニウム板またはスパッタリングや蒸着により作成したアルミニウム薄膜をシュウ酸または硫酸溶液にて陽極酸化したものは、ノンポーラ型として特に良好な特性を発揮する。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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