ドライプロセス装置

開放特許情報番号
L2011000507
開放特許情報登録日
2011/2/4
最新更新日
2011/2/4

基本情報

出願番号 特願2009-007329
出願日 2009/1/16
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2010-163662
公開日 2010/7/29
発明の名称 ドライプロセス装置
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 ドライプロセス装置
目的 高い結晶性をもった物を製造することが可能なドライプロセス装置を提供する。
効果 この装置を用いることにより、複数の異なるドライプロセスを連続して実行できると共に、その間は、基板を一切移動させることがないままである。その結果、極めて高い結晶性を有してナノ生成物を得ることができる。
技術概要
側面下部にガス導入口1及び排気口2を備えるチャンバー3内に次の構造を有している。チャンバー3内の上部に絶縁材料6aを介して取り付けられた高周波電極11aに配される基板保持部10aと、チャンバー3内の下部に絶縁材料6bを介して取り付けられた高周波電極11bに配置されたターゲット保持部10bと、このターゲット保持部10bの上方に配されるシャッター5が設けてある。基板保持部10aに保持された基板14の温度を所望の温度に保つ温度調整器と、基板保持部10aとターゲット保持部10bとにそれぞれ配置された高周波電極11a、11bと、両電極の陰陽を切り替える陰陽切替器と、チャンバー内の気体を外部の排出するあたりその排気速度を調整する排気調整器と、チャンバー内へ供給する気体の供給速度を調整する給気調整器と、この給気調整器を介してチャンバーに供給する気体の種類を変更する気体切替器とからなり、基板保持部10aに保持された基板14に対しスパッタリング法、イオン注入法、CVD法等の異なった複数のドライプロセスを選択して連続実行する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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