誘電体素子とその製造方法

開放特許情報番号
L2011000502
開放特許情報登録日
2011/2/4
最新更新日
2018/1/23

基本情報

出願番号 特願2008-551070
出願日 2007/12/20
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 WO2008/078652
公開日 2008/7/3
登録番号 特許第5294201号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 誘電体素子とその製造方法
技術分野 電気・電子、無機材料、有機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 誘電体素子
目的 ナノ領域において高い誘電率と良好な絶縁特性を同時に実現するペロブスカイト酸化物薄膜及びその製造方法を提供する。
効果 ペロブスカイトナノシートの有する独自の物性および高い組織、構造制御性を活用することが可能になり、ナノ領域においても高い誘電率と良好な絶縁特性を同時に実現できる。有機ポリマーなど高分子材料との融合が可能となったため、ペロブスカイトナノシートの有する優れた誘電特性を利用した有機−無機ハイブリットデバイスの作製や、分子エレクトロニクス上の誘電体素子としての利用が可能である。
技術概要
電極間に誘電体薄膜を介在させて成る誘電体素子は、誘電体薄膜が、ペロブスカイトナノシートの層よりなる。ペロブスカイトナノシートは、カチオン性有機ポリマーを介して積層されてなる多層構造を有している。誘電体薄膜の膜厚は20nm以下であって、比誘電率が150以上である。ペロブスカイトナノシートは、層状ペロブスカイト酸化物を剥離して得たものであり、組成式:A↓xCa↓2Nb↓3O↓1↓0↓−↓d等、又はA[Ca↓n↓−↓1Na↓n↓−↓3Nb↓nO↓3↓n↓+↓1↓−↓d](Aは、H、Li、Na、K、Rb、Csから選ぶ、0<x≦1;Mは、Sr、Ba、Pbあるいは希土類元素La、Ce、Pr、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luから選ぶ、0<y≦1;M’は、Ta、Ti、Mg、Mn、Znから選ぶ、0<z≦3;n=2−4;d=0−2)で示すいずれかのもの、又はその水和物である。誘電体素子の製造方法は、誘電体素子を構成する2枚の電極基板のうち、いずれか一方の電極基板上にペロブスカイトナノシートを付着させた後、ペロブスカイトナノシートが両電極基板間に介在するように2枚の電極基板を配設する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【 】
改善効果1 20nm以下のナノスケールの薄さでも機能する誘電体薄膜を提供できるため、従来の誘電体素子では到達困難であった薄膜化と高容量化を同時に達成できる。
改善効果2 高機能の誘電体ブロックであるNbO↓6八面体もしくはTaO↓6八面体を内包した層状ペロブスカイトナノシートの人為的な再構築が可能となったため、従来のペロブスカイトよりも優れた誘電体特性を有する薄膜の製造と設計が可能である。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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