スピン偏極イオンビーム発生装置及びそのスピン偏極イオンビームを用いた散乱分光装置及び方法並びに試料加工装置

開放特許情報番号
L2011000501
開放特許情報登録日
2011/2/4
最新更新日
2018/1/23

基本情報

出願番号 特願2008-548251
出願日 2007/11/29
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 WO2008/069110
公開日 2008/6/12
登録番号 特許第5322157号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 スピン偏極イオンビーム発生装置及びそのスピン偏極イオンビームを用いた散乱分光装置及び方法並びに試料加工装置
技術分野 電気・電子
機能 検査・検出、表面処理
適用製品 スピン偏極イオンビーム発生装置及びそのスピン偏極イオンビームを用いた散乱分光装置並びに試料加工装置
目的 測定時間を短縮して従来にはない高精度の測定や加工が可能になるように、偏極率が18%を超える高い偏極率をもったスピン偏極イオンビーム発生装置及び最表面からの浅い層、例えば2〜3原子層における元素と原子層とを選別した磁気構造解析ができるスピン偏極イオン散乱分光装置、更に試料にスピン偏極したイオンを照射して試料の加工を行うことができる、スピン偏極イオンビームを用いた試料加工装置を提供する。
効果 スピン偏極イオンビーム発生装置30は、高周波放電管15内のイオンへポンピング光発生部33により準安定原子に対して円偏光と直線偏光とを互いに直角の照射方向から光ポンピング34、35を照射することで効率良くスピン偏極イオンを発生することができ、例えば、スピン偏極率が18%を超え25%に達する高い偏極率をもった偏極ヘリウムイオンビームを発生できる。
技術概要
スピン偏極イオンビーム発生装置30は、イオン発生用の高周波放電管15と、レーザー発振器1と、レーザー発振器からのレーザーを二つに分岐し、一方を円偏光の第1のポンピング光とし、他方を直線偏光の第2のポンピング光として、相互に90°の照射角度差をもって高周波放電管に照射するポンピング光発生部33と、を備え、偏極イオンを引き出すための引き出し電極を、高周波放電管に対して設けている。スピン偏極イオン散乱分光装置はスピン偏極イオンビーム発生部と、スピン偏極イオンビーム発生部から発生させたスピン偏極イオンビームを試料に照射するスピン偏極イオンビームラインと、試料とスピン偏極イオンビームとの相互作用により散乱するイオンのエネルギーを計測する計測部と、を備え、スピン偏極イオンビーム発生部は、ポンピング光発生部と、を有し、偏極イオンを引き出すための引き出し電極を、高周波放電管に対して設けている。スピン偏極イオンビームを用いた試料加工装置はスピン偏極イオンビームを試料に照射する超高真空槽と、を備え、ポンピング光発生部と、を有し、偏極イオンを引き出すための引き出し電極を、高周波放電管に対して設けている。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【 】
改善効果1 スピン偏極イオンビーム発生装置30は、試料へ偏極したイオンビームを照射することができる加工装置や分析装置にも適用することができる。
改善効果2 スピン偏極イオン散乱分光装置によれば、試料の表面2〜3原子層程度の深さ領域において、元素と原子層とを同時選別したスピン状態を、測定時間を短縮して従来にはない高精度の測定が可能になる。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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