ポーラスシリコンの製造方法

開放特許情報番号
L2011000457
開放特許情報登録日
2011/2/4
最新更新日
2013/10/29

基本情報

出願番号 特願2009-101931
出願日 2009/4/20
出願人 公立大学法人首都大学東京
公開番号 特開2010-251647
公開日 2010/11/4
登録番号 特許第5327676号
特許権者 公立大学法人首都大学東京
発明の名称 ポーラスシリコンの製造方法
技術分野 電気・電子、情報・通信、無機材料
機能 材料・素材の製造、機械・部品の製造、その他
適用製品 ポーラスシリコン
目的 この発明は、細孔のアスペクト比(細孔深さ/細孔径の比)が高く、大きな面積のものでも効率よく生産できるポーラスシリコンの製造方法を提供する。
効果 この発明のポーラスシリコンの製造方法によれば、電解エッチングによる細孔の形成に先立ち、エッチングの出発点となるシリコン基体表面の窪みの形成を、ポーラスアルミナをマスクとしてドライエッチングで行なうので、従来のインプリントプロセスの課題であった、シリコン基体やモールドの破損、損傷を生ずることなく安定した生産が可能であり、面積の大きいもであっても容易に生産できる。
技術概要
通常の陽極酸化ポーラスアルミナでは、細孔がランダムに配列した構造であるが、最適化された条件下で陽極酸化を行えば、細孔配列を次第に規則化させることが可能である。このような多孔質材料として、ポーラスシリコンも電子デバイス等への応用が期待できることから、細孔が規則配列したポーラスシリコンの製法が研究されている。しかし、上記のようなシリコンの製造方法において、インプリントプロセスを用いた場合、インプリント時に印加する圧力が非常に大きくなり、シリコン基体の破損や、シリコンへのインプリントで使用される、高価なSiC製のモールドの劣化が生じ易いことから、大量生産には不向きであった。この発明の方法は、ポーラスアルミナ膜をシリコン基体の表面に固定してドライエッチングを行い、シリコン基体の表面にポーラスアルミナ膜の細孔と同じ配列の窪みを形成し、次いでシリコン基体を陽極としてフッ化水素酸を含む水溶液中で電解エッチングを行い、窪みを選択的に溶解して細孔を形成し、ポーラスシリコンを製造するものである。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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