レーザー脱離イオン化法

開放特許情報番号
L2011000378
開放特許情報登録日
2011/2/4
最新更新日
2011/2/4

基本情報

出願番号 特願2006-045691
出願日 2006/2/22
出願人 公立大学法人首都大学東京
公開番号 特開2007-225394
公開日 2007/9/6
発明の名称 レーザー脱離イオン化法
技術分野 化学・薬品、食品・バイオ
機能 検査・検出
適用製品 質量分析方法、レーザー脱離イオン化法、ソフトレーザーイオン化法、生体関連物質の分子イオン測定、熱に不安定な物質の分子イオン測定
目的 固体試料の分子イオン測定には、マトリックス支援レーザー脱離イオン化法が汎用されているが、マトリックスに由来する多くの問題が存在し、マトリックスフリーのソフトイオン化法であるレーザー脱離イオン化法(DIOS法)が注目されている。しかし、DIOS法においても、多孔質化シリコン表面の細孔は、マトリックスとしての役割を担うと考えられているが、表面が不均一で再現性に乏しいため、イオン化機構の正確な議論は困難である。そこで、マトリックス非添加で、ソフトレーザーイオン化を実現する新しい手法を提供する。
効果 シリコン基板表面に規則的で微細な溝構造を形成することで、シリコン表面がフラットな状態のものよりも、シリコン表面上の試料へのエネルギー移動が大きく、イオン化率が高くなる。さらに、修飾分子を使用すると、より高効率なイオン化率が得られるという効果を奏する。
技術概要
このレーザー脱離イオン化法は、シリコン基板のナノ表面粗さを制御する手段として、ナノ秒パルスレーザーを幾何学的に対象な2方向から同時に照射する2光束干渉を利用して、n−型シリコン基板に、サブミクロンオーダ(100nm〜1μm)の周期的な溝構造を形成し、この構造の上に試料を設置し、この試料にレーザー光を照射することにより試料をイオン化する。このイオン化方法を用いて試料の質量分析を行う。基板表面は、ウンデシレン酸等を表面に吸着させ、修飾することが好ましい。図は、微細溝構造基板、フラット基板(比較)、および微細溝構造基板において修飾した基板における質量分析結果である。フラット基板では分子の積層数が数10層ではフラグメントイオンピークも分子のイオンピークも殆ど見分けられないが、微細溝構造基板では試料の量が少なくなり基板の凹凸と比較できる程度になるとフラグメントイオンピークがより顕著に現れる。また、表面修飾なしではフラグメントイオンピークも分子のイオンピークも雑音レベルに比べてあまり大きくないが、表面修飾ありではフラグメントイオンピークも分子のイオンピークも雑音レベルに比べ極めて大きく、極めて感度の良い結果が得られる。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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