赤外光検出器

開放特許情報番号
L2011000349
開放特許情報登録日
2011/1/28
最新更新日
2015/10/28

基本情報

出願番号 特願2009-125194
出願日 2009/5/25
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 特開2010-272794
公開日 2010/12/2
登録番号 特許第5123889号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 赤外光検出器
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、検査・検出
適用製品 電気伝導度、赤外光の積分値、赤外光感度
目的 ソース−ドレイン間の電気伝導度の変化の観測を行うために印加するソース−ドレイン間の電圧V↓(DS)が0.22hν/e(eは電荷素量を表わす。hはプランク定数を表わす。νは量子井戸の幅に応じた励起光の振動数を表わす。)程度以上の電圧になると、かえって赤外光の検知感度が低下してしまうことに鑑み、赤外光感度のさらなる向上を図りうる赤外光検出器の提供。
効果 この赤外光検出装置によれば、一の外部電子系のフェルミ準位(電気化学ポテンシャル)と等しくなるようにしかフェルミ準位(電気化学ポテンシャル)が調節されえない分割前の単一の第1電子領域により赤外光が検知される場合と比較して、赤外光の検知精度を著しく(たとえば、第1電子領域の個数倍程度にまで)向上させることができる。
技術概要
この技術は、2次元電子層である第1電子層において電気的に孤立した状態が維持されうる第1電子領域と、入射赤外光に応じて第1電子領域に垂直な振動電場成分を生成することにより電子を励起し、第1電子領域に形成されている量子井戸のサブバンドの間で遷移させる光結合機構と、第1電子層に対して中間絶縁層を介して平行に配置されている2次元電子層である第2電子層において、光結合機構により励起された電子が第1電子領域から流出した結果として電気伝導度が変化する伝導チャネルと、第1電子領域が外部電子系から電気的に遮断されている遮断状態と、外部電子系と電気的に接続されている接続状態とを切り替える状態制御機構とを備え、伝導チャネルの指定方向についての電気伝導度の変化を検出することにより入射赤外光を検出する赤外光検出器とする。第2電子領域のそれぞれが、第1電子領域のそれぞれの外部電子系として構成されていてもよい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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