ホイスラー合金材料、磁気抵抗素子および磁気デバイス

開放特許情報番号
L2011000325
開放特許情報登録日
2011/1/28
最新更新日
2014/1/27

基本情報

出願番号 特願2009-077606
出願日 2009/3/26
出願人 国立大学法人東北大学
公開番号 特開2010-229477
公開日 2010/10/14
登録番号 特許第5413646号
特許権者 国立大学法人東北大学
発明の名称 ホイスラー合金材料、磁気抵抗素子および磁気デバイス
技術分野 電気・電子、金属材料
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造
適用製品 磁気デバイス、磁気センサー、スピントロニクス分野、出力性能、ハーフメタル材料
目的 従来のCo↓2MnSi組成のホイスラー合金は、異方性磁界が数十Oe以上と大きく、センサー応用の磁気抵抗素子には不向きであり、従って、高スピン分極率を維持しつつ、磁気異方性の小さいホイスラー合金が切望されていることに鑑み、高スピン分極率かつ低磁気異方性を有することで、高磁界感度な磁気抵抗素子の磁化自由層または磁化固定層に適用可能なホイスラー合金材料、そのホイスラー合金材料を用いた磁気抵抗素子および磁気デバイスの提供。
効果 このホイスラー合金材料を、磁気抵抗素子の磁化自由層または磁化固定層に用いることで、高MR比および低H↓kを呈する高磁界感度磁気抵抗素子を実現できる。また、この磁気抵抗素子は、例えば磁気センサーなどの磁気デバイスに使用することができる。
技術概要
この技術では、ホイスラー合金材料は、Co↓2(Fe↓xMn↓(1−x))Si合金(x=0.1〜0.9)の組成比を有する。ホイスラー合金材料は熱処理プロセスを経ていることが好ましい。ホイスラー合金材料は所定の下地層を介して形成されていることが好ましい。また、下地層は酸化マグネシウムまたはクロムから成ることが好ましい。磁気抵抗素子は、強磁性金属磁化固定層/中間層/強磁性金属磁化自由層から成り、磁化固定層と磁化自由層との磁化の相対角度により抵抗が変化し、ホイスラー合金材料を磁化自由層および磁化固定層の少なくとも一方に用いる。また、磁気抵抗素子は、中間層として酸化アルミニウム、または、酸化マグネシウムを用い、磁化自由層あるいは磁化固定層としてホイスラー合金材料を用いたトンネル磁気抵抗素子から成ることが好ましい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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