光デバイス及びその製造方法

開放特許情報番号
L2011000288
開放特許情報登録日
2011/1/28
最新更新日
2012/11/23

基本情報

出願番号 特願2008-248567
出願日 2008/9/26
出願人 国立大学法人東北大学
公開番号 特開2010-079041
公開日 2010/4/8
発明の名称 光デバイス
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 接合ロス、光通信システム、光計測システム、光ファイバーを用いた伝送系、回路基板内で分波、合波、光切り換えなどによる光処理系
目的 LIGAプロセスでは、直線状の溝を所定のピッチで形成することはできる一方で、曲線状の任意のパターン、特に深さ方向に湾曲した曲線状の任意のパターンを容易に形成することはできないことに鑑み、従来のリソグラフィ技術ではパターニングが困難な接合部位に、高精度でかつ簡便な手法によりパターンを形成し、回路基板同士や光ファイバーとの接合ロスを減らし、小型化を図ることができる、光デバイスとその製造方法の提供。
効果 回路基板の側面において光入射部及び/又は光出射部に断面凹凸の周期構造体を備えたり、導光板の側面に断面凹凸の周期構造体を備えたりしているので、周期構造体を各種機能が生じるように寸法形状を設定することで、回路基板や導光板の各側面にも分光、分散、反射防止の各機能を実現でき、容易に小型化できることに加え、光入射面や光出射面を通過する光がロスしないように他の光デバイスと接合することができる。
技術概要
この技術は、光学素子が形成されている回路基板の側面に対するナノインプリントリソグラフィ技術(垂直ナノインプリントリソグラフィ技術)を開発し、回路基板の側面に対し任意の形状のパターンを転写することに基づく。端面ナノインプリントは回路基板や導光板などの基板の垂直な側面にナノインプリントするため、製作された形状を基板上面から見たときのアスペクト比は数百、例えば200となり、容易に形成することができる。すなわち、光デバイスは、光入射部及び/又は光出射部を側面に有する回路基板と、回路基板における光入射部及び/又は光出射部に形成される周期構造体と、を備え、周期構造体が、サブ波長の周期で断面凹凸を繰り返してなる。ここで、回路基板には、半導体レーザ素子、光伝送素子、光合波素子、光分波素子の何れか又は組合せからなる光学素子が形成されている。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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