バイオシリカ製造法、およびバイオシリカ固定基板の製造法

開放特許情報番号
L2011000180
開放特許情報登録日
2011/1/21
最新更新日
2013/9/26

基本情報

出願番号 特願2007-303952
出願日 2007/11/26
出願人 学校法人関西学院
公開番号 特開2009-126745
公開日 2009/6/11
登録番号 特許第5311806号
特許権者 学校法人関西学院
発明の名称 バイオシリカ製造法、およびバイオシリカ固定基板の製造法
技術分野 食品・バイオ
機能 材料・素材の製造
適用製品 バイオシリカ、バイオシリカ固定基板
目的 シラフィンを用いたバイオシリカの新規製造法等を提供する。
効果 使用するシラフィンのリピートユニット濃度等を調節することによってバイオシリカの粒径を良好に制御することができるので、その微細化を図ることができる。また、このバイオシリカ固定基板の製造法により、基板上でバイオシリカを選択的形成させることが可能である。
技術概要
シラフィンを用いてバイオシリカ粒を形成する方法は、使用するシラフィンのリピートユニット濃度、および/又は、形成時の温度を調節することにより、形成するバイオシリカ粒の粒径を制御する。使用するシラフィンのリピートユニット濃度を10nM以上1500nM以下、および/又は、形成時の温度を40℃以上80℃以下の範囲に設定する。組換えシラフィンを使用する。単リピート型又は7回リピート型の組換えシラフィンを使用する。ヒスチジンのタグを付加した組換えシラフィンを使用する。所定の結晶面を有する基板上にシラフィンを吸着させて、基板上でシラフィンによりバイオシリカを形成させるバイオシリカ固定基板の製造法である。基板表面上に異なった結晶面をパターニングにより形成した後、シラフィンを選択吸着させ、次いで、シラフィン吸着部にバイオシリカを選択的形成させる。低指数結晶面を有するGaAs結晶基板をエッチングすることにより、基板表面上に異なった結晶面をパターニングにより形成させるパターニングされたバイオシリカ固定基板の製造法である。海洋性珪藻由来シラフィン−1の全アミノ酸配列、および組換えシラフィン等を説明する図を示す。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 学校法人関西学院

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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