| 出願番号 |
特願2007-246322 |
| 出願日 |
2007/9/22 |
| 出願人 |
学校法人関西学院 |
| 公開番号 |
特開2009-076795 |
| 公開日 |
2009/4/9 |
| 登録番号 |
特許第5152715号 |
| 特許権者 |
学校法人関西学院 |
| 発明の名称 |
三次元微細加工方法及び三次元微細構造 |
| 技術分野 |
無機材料 |
| 機能 |
表面処理 |
| 適用製品 |
三次元微細加工システム及び三次元微細構造 |
| 目的 |
高密度かつ複雑な三次元微細構造を基板の表面に形成可能な三次元微細加工方法を提供する。 |
| 効果 |
基板の表面に自然に形成されている自然酸化膜を除去することなく、この自然酸化膜に対して電子ビームを照射することで、化学的に安定なＩＩＩ族酸化物に置換し、改質マスク部を形成できる。この改質マスク部を周期的に形成した上で基板の露出表面を優先的に剥離することで、ネガ型パターンを精度良く作製できる。また、電子ビームの描画間隔を広くすれば優先的な剥離部分が浅くなり、描画間隔を狭くすれば深く剥離されるので、従来では不可能であった複雑かつ多様な形状を有する三次元微細構造を形成できる。 |
技術概要
 |
第１工程では、真空中でＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板１の表面に電子ビームを照射することにより、この基板１の表面の自然酸化膜２を化学的に安定なＩＩＩ族酸化物３に置換させ、改質マスク部３を周期的に形成する。第２工程では、真空中で基板１を昇温させることにより、改質マスク部３以外の部分の自然酸化膜２を脱離させて基板表面を露出させる。第３工程では、真空にＶ族原料を供給した環境下で基板１を所定温度で加熱することで、基板表面の露出部分からＩＩＩ族原子を優先的に剥離させて前記改質マスク部３上をホッピングさせ、この露出部分に窪み４を形成する。第４工程では、固体成長原料を用いた分子線エピタキシャル成長法を行うことで、窪み４の部分にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶５を選択成長させる。この三次元微細加工方法は、第１工程における電子ビームの加速電圧は１ｋＶ以上５０ｋＶ以下であり、線ドーズ量の範囲は１０ｎＣ／ｃｍ以上１μＣ／ｃｍ以下であり、電子ビームの照射は単一ラインモードで行う。第１工程において、電子ビームは、基板の結晶方位［１００］、［１１０］、［−１１０］の何れかに一致するラインを描画するように照射する。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【可】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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