| 出願番号 |
特願2007-077439 |
| 出願日 |
2007/3/23 |
| 出願人 |
学校法人関西学院 |
| 公開番号 |
特開2008-230946 |
| 公開日 |
2008/10/2 |
| 登録番号 |
特許第5213096号 |
| 特許権者 |
学校法人関西学院 |
| 発明の名称 |
単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長方法、単結晶炭化ケイ素基板の製造方法、及び単結晶炭化ケイ素基板 |
| 技術分野 |
無機材料 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
単結晶炭化ケイ素基板 |
| 目的 |
ＳｉＣを液相からエピタキシャル成長させる新規な方法を提供する。 |
| 効果 |
エピタキシャル成長を自動的に安定化させることができ、高品質なエピタキシャル成長層を得ることができる。また、様々な化学ポテンシャルの差に基づく自由エネルギーを駆動力として用いることができるので、炭化ケイ素を大面積エピタキシャル成長させることが容易である。更に、系に温度勾配を形成する必要がないので、プロセスを行うための装置構成を簡素化でき、プロセス制御も簡単になる。 |
技術概要
 |
シード基板としての単結晶ＳｉＣ基板１５に対向して、当該単結晶ＳｉＣ基板１５より自由エネルギーの高い炭素フィード基板としての多結晶ＳｉＣ基板２０を配置する。また、単結晶ＳｉＣ基板１５と多結晶ＳｉＣ基板２０との間にシリコンプレート２３を配置する。これを真空高温環境で加熱処理し、シリコンプレート２３を融解させ、単結晶ＳｉＣ基板１５と多結晶ＳｉＣ基板２０との間にＳｉの極薄溶融層を溶媒として介在させる。そして、基板１５、２０の自由エネルギーの差に基づいてＳｉ溶融層に発生する濃度勾配を駆動力とする準安定溶媒エピタキシー（ＭＳＥ）法により、単結晶ＳｉＣ基板１５の表面に単結晶炭化ケイ素を液相エピタキシャル成長させる。単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長方法は、シード基板の結晶多形が６Ｈ−ＳｉＣであり、炭素フィード基板は、単結晶４Ｈ−ＳｉＣ、単結晶３Ｃ−ＳｉＣ、多結晶４Ｈ−ＳｉＣ、多結晶３Ｃ−ＳｉＣ、アモルファスＳｉＣ又はグラファイトである。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【可】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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