単結晶炭化ケイ素基板の表面平坦化方法、単結晶炭化ケイ素基板の製造方法、及び単結晶炭化ケイ素基板

開放特許情報番号
L2011000176
開放特許情報登録日
2011/1/21
最新更新日
2013/5/22

基本情報

出願番号 特願2007-077256
出願日 2007/3/23
出願人 学校法人関西学院
公開番号 特開2008-230944
公開日 2008/10/2
登録番号 特許第5213095号
特許権者 学校法人関西学院
発明の名称 単結晶炭化ケイ素基板の表面平坦化方法、単結晶炭化ケイ素基板の製造方法、及び単結晶炭化ケイ素基板
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 単結晶炭化ケイ素基板
目的 CVD以外のエピタキシャル成長法にも適用が容易であり、単結晶炭化ケイ素基板の不安定サイト及びダメージ層を除去して極めて良好な平坦度の表面を得ることが可能な表面平坦化方法を提供する。
効果 様々なエピタキシャル成長法に適用が容易な、単結晶炭化ケイ素基板の表面平坦化方法を提供できる。また、エピタキシャル成長用前処理技術に留まらず、単結晶炭化ケイ素基板の表面改良及び表面形状制御技術として幅広い用途に適用が可能である。
技術概要
結晶欠陥を含む不安定サイトや、基板表面の研磨時に発生したダメージ層15aが存在する単結晶SiC基板15を高真空環境において1500℃以上2300℃以下の温度で加熱処理することにより、単結晶SiC基板15の表面及びその近傍を炭化して炭化層15bを形成する(第1工程)。次に、単結晶炭化ケイ素基板は、タンタル金属からなるとともに炭化タンタル層を内部空間に露出させるようにして備える上下が嵌合した収納容器に収納され、単結晶SiC基板15をシリコンの飽和蒸気圧下で加熱処理することにより、炭化層15bの部分にアモルファスSiCからなる犠牲成長層(アモルファスSiC層15c)を形成するとともに、このアモルファスSiC層15cを昇華させて熱エッチングする(第2工程)。この結果、不安定サイトが自己修復された平坦な単結晶SiC表面を露出させることができる(d)。このあと更に若干量熱エッチングすることで、非常に平坦化(安定化)された単結晶SiC基板15を得ることができる(e)。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【 】
改善効果1 犠牲成長層の形成及び熱エッチングによる除去を良好に且つ効率良く行うことができる。単結晶炭化ケイ素基板を収納容器に収容して事前に予備加熱しておき、予備加熱室から本加熱室へ移動させることで急速に昇温させて加熱処理を行うので、第1工程又は第2工程を短時間で効率良く行うことができるとともに、その制御も容易になる。

登録者情報

登録者名称 学校法人関西学院

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【無】   
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