| 出願番号 |
特願2006-212627 |
| 出願日 |
2006/8/3 |
| 出願人 |
学校法人関西学院 |
| 公開番号 |
特開2008-037684 |
| 公開日 |
2008/2/21 |
| 登録番号 |
特許第5207427号 |
| 特許権者 |
学校法人関西学院 |
| 発明の名称 |
単結晶炭化ケイ素の液相生成方法、単結晶炭化ケイ素基板の液相エピタキシャル生成方法、単結晶炭化ケイ素基板の生成方法 |
| 技術分野 |
無機材料 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
単結晶炭化ケイ素種結晶基板 |
| 目的 |
多結晶炭化ケイ素基板を使って単結晶炭化ケイ素種結晶を自己成長させ、単結晶炭化ケイ素種結晶小片を生成する方法を提供する。 |
| 効果 |
多結晶炭化ケイ素基板表面を加熱処理した基板表面上に単結晶炭化ケイ素種結晶が自己成長して単結晶炭化ケイ素種結晶小片を生成できる。 |
技術概要
 |
多結晶炭化ケイ素基板表面全面を加熱処理した基板表面に対向して多結晶炭化ケイ素基板を近接設置して両者の基板の隙間に金属シリコン融液を介在させて液相エピタキシャル成長させることにより加熱処理した多結晶炭化ケイ素基板表面に単結晶炭化ケイ素種結晶が自己成長して単結晶炭化ケイ素種結晶小片を生成する方法である。収納容器に、多結晶炭化ケイ素基板５表面を加熱処理した基板表面に対向して多結晶炭化ケイ素基板５を近接設置して両者の基板の隙間に金属シリコン融液１２を介在させて液相成長させる多結晶炭化ケイ素基板の複合体を収納するとともに、収納容器の内部圧力が外部圧力よりも高くなるようにシリコンの飽和蒸気圧下の真空に保った状態で１５００℃以上２３００℃以下の温度で加熱処理する加熱処理工程を含む熱処理工程により、多結晶炭化ケイ素基板表面を加熱処理した基板表面上に単結晶炭化ケイ素種結晶が自己成長して単結晶炭化ケイ素種結晶小片１３ａを生成する。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【可】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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