| 出願番号 |
特願2006-187415 |
| 出願日 |
2006/7/7 |
| 出願人 |
学校法人関西学院 |
| 公開番号 |
特開2008-016691 |
| 公開日 |
2008/1/24 |
| 登録番号 |
特許第5152887号 |
| 特許権者 |
学校法人関西学院 |
| 発明の名称 |
単結晶炭化ケイ素基板の表面改質方法、単結晶炭化ケイ素薄膜の形成方法、イオン注入アニール方法及び単結晶炭化ケイ素基板、単結晶炭化ケイ素半導体基板 |
| 技術分野 |
無機材料 |
| 機能 |
材料・素材の製造、表面処理 |
| 適用製品 |
単結単結晶炭化ケイ素基板、単結晶炭化ケイ素半導体基板 |
| 目的 |
単結晶ＳｉＣ基板の炭素面のみならずケイ素面の平坦化を行うことが可能で、かつ環境への負荷も低い表面改質方法を熱エッチングで提供する。 |
| 効果 |
単結晶炭化ケイ素基板のＣ面のみならずＳｉ面を平坦化できるので、柔軟性に優れた表面改質方法を提供できる。更に、加熱処理によって表面改質を行うため（熱エッチング）、化学エッチング等に比べて環境への負荷を良好に低減することができる。また、加熱処理工程において他の不純物が容器内や単結晶炭化ケイ素基板中に侵入することを防止でき、品質の良好な単結晶炭化ケイ素基板を得ることができる。 |
技術概要
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単結晶炭化ケイ素基板の表面の平坦化工程としての機械的及び化学的研磨（ＣＭＰ）を必要とせずに単結晶炭化ケイ素バルクインゴットより直接切り出した単結晶炭化ケイ素ウエファーの基板表面欠陥の除去を行うと共に結晶成長を促す失われた表面ステップ形状モフオロジーを形成させる単結晶炭化ケイ素基板の表面改質方法である。タンタル金属からなるとともに炭化タンタル層を内部空間に露出させるように上下が勘合した収納容器１６に単結晶ＳｉＣ基板１５を収納する。それとともに、加熱室を予め減圧下で１５００〜２３００℃に調整しておく。そして、収納容器１６を加熱室へ移動することにより、収納容器１６の内部をシリコンの飽和蒸気圧下の真空に保った状態で１５００〜２３００℃で加熱処理し、単結晶ＳｉＣ基板１５の表面を分子レベルに平坦化熱エッチングする。機械的切削加工により発生した表面損傷の基板表面欠陥を除去出来るとともに切削加工工程で失われた結晶成長を促す表面ステップ形状モフオロジーを全面に均一に形成出来るので単結晶炭化ケイ素基板の表面平坦度をサブナノオーダーの分子レベルに改質を可能とする。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【可】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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