熱処理装置及び熱処理方法

開放特許情報番号
L2011000173
開放特許情報登録日
2011/1/21
最新更新日
2011/1/21

基本情報

出願番号 特願2005-229385
出願日 2005/8/8
出願人 学校法人関西学院
公開番号 特開2006-041544
公開日 2006/2/9
登録番号 特許第4418879号
特許権者 学校法人関西学院
発明の名称 熱処理装置及び熱処理方法
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造、加熱・冷却
適用製品 熱処理装置
目的 次世代の単結晶SiCの形成に好適な、圧力10↑−↑2Pa以下好ましくは10↑−↑5Pa以下の真空、又は予め圧力10↑−↑2Pa以下好ましくは10↑−↑5Pa以下の高真空に到達した後に若干の不活性ガスを導入した希薄ガス雰囲気下であっても短時間で1200℃〜2300℃に加熱することができる熱処理装置及びそれを用いて熱処理方法を提供する。
効果 圧力10↑−↑2Pa以下好ましくは10↑−↑5Pa以下の高真空、又は予め圧力10↑−↑2Pa以下の真空に到達した後に不活性ガスを導入した希薄ガス雰囲気下の圧力下において、加熱ヒータを用いて、嵌合容器内の被処理物を短時間で1200℃〜2300℃という高温に加熱できるため、従来の熱処理装置や熱処理方法では得られなかった新規な材料を創作できる。
技術概要
被処理物5を1200℃〜2300℃に加熱可能な加熱室2を備え、この加熱室2は圧力10−2Pa以下の真空において被処理物5を加熱できるように構成しており、被処理物5を収納した容器を覆うように、加熱室2の内部には加熱ヒータ11が設けられており、その加熱ヒータの周囲に反射鏡12が配置されており、容器は上容器と下容器とを嵌合してなり、被処理物5はこの容器に収納された状態で加熱ヒータ11により加熱する熱処理装置である。加熱室は、圧力10↑−↑5Pa以下の真空で被処理物を加熱するように構成されている。加熱室は、圧力10↑−↑2Paの真空とすることに代えて、圧力10↑−↑2Pa以下の真空に到達した後に不活性ガスを導入した希薄ガス雰囲気下において被処理物を加熱するように構成されている。熱処理装置1は、加熱室2、予備加熱室3、前室4が連通している。このため、各室を予め所定の圧力下に制御することが可能となる。これによって被処理物5の移動時においても、外気に触れることなく、所定圧力下の炉内を図示しない移動手段によって移動させることができるため、不純物の混入等を抑制することができる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【有】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 学校法人関西学院

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【無】   
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