| 出願番号 |
特願2005-162166 |
| 出願日 |
2005/6/2 |
| 出願人 |
学校法人関西学院 |
| 公開番号 |
特開2006-339397 |
| 公開日 |
2006/12/14 |
| 登録番号 |
特許第5224256号 |
| 特許権者 |
学校法人関西学院 |
| 発明の名称 |
単結晶炭化ケイ素基板の処理方法、半導体素子の製造方法 |
| 技術分野 |
無機材料 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
単結晶炭化ケイ素基板、及び半導体素子 |
| 目的 |
単結晶炭化ケイ素（ＳｉＣ）のマイクロパイプ欠陥を短時間で修復することに加えて、不純物原子をイオン注入した多結晶炭化ケイ素（ＳｉＣ）基板をソースとして半導体単結晶炭化ケイ素（ＳｉＣ）膜を気相エピタキシャル成長することを可能とし、ＳｉＣ高耐圧半導体が高い歩留まりとスループットで生産可能となる方法を提供する。 |
| 効果 |
単結晶炭化ケイ素基板表面のマイクロパイプ欠陥を単結晶炭化ケイ素薄膜によって短時間に修復することが可能になり、高レベルで平坦な表面を有する単結晶炭化ケイ素基板を提供できる。 |
技術概要
 |
単結晶炭化ケイ素基板に対し、半導体を形成可能な不純物原子をイオンドーピングした多結晶炭化ケイ素基板のイオン注入面を近接又は密接させて密閉容器内に収納配置して熱処理し、多結晶炭化ケイ素基板からＳｉＣ分子及び不純物原子イオンを昇華させて単結晶炭化ケイ素基板の表面に気相エピタキシャル成長させることで単結晶炭化ケイ素半導体薄膜を形成し、これにより単結晶炭化ケイ素基板表面のマイクロパイプ欠陥を修復する。表面にドーパントをイオン注入した多結晶ＳｉＣ基板１９に対し、単結晶炭化ケイ素（ＳｉＣ）基板５を近接又は密接させて密閉容器に収納して、１，６００℃〜２，１００℃（好ましくは１，７００℃〜１，９００℃）の高温に短時間で加熱して熱処理する。単結晶炭化ケイ素（ＳｉＣ）基板５と多結晶ＳｉＣ基板１９との距離（隙間ｇの大きさ）は、密接から０．６ｍｍ以下が好ましく、０．１ｍｍ以上０．３ｍｍ以下が更に好ましい。熱処理は、単結晶炭化ケイ素基板と多結晶炭化ケイ素基板からなる一対の組を、厚み方向に複数組積層した状態で密閉容器内に配置されて行う。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【有】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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