単結晶炭化ケイ素基板の製造方法、及びこの方法で製造された単結晶炭化ケイ素基板

開放特許情報番号
L2011000171
開放特許情報登録日
2011/1/21
最新更新日
2011/11/18

基本情報

出願番号 特願2005-125865
出願日 2005/4/25
出願人 学校法人関西学院
公開番号 特開2006-298722
公開日 2006/11/2
登録番号 特許第4840841号
特許権者 学校法人関西学院
発明の名称 単結晶炭化ケイ素基板の製造方法、及びこの方法で製造された単結晶炭化ケイ素基板
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 単結晶炭化ケイ素基板
目的 安価で、かつ種結晶の欠陥に起因する品質の低下を低減した単結晶炭化ケイ素(SiC)基板の製造方法を提供する。
効果 種結晶となる単結晶炭化ケイ素の面積から広がるように液相エピタキシャル成長するので、当初の種結晶の有するマイクロパイプ等の欠陥が、種結晶の小面積の部分にしか現れない。従って、少なくとも種結晶に相当する部分以外の部分においては、欠点の殆どない単結晶炭化ケイ素基板を得る。
技術概要
種結晶となるSiC単結晶28をC原子供給基板17に対向させ密閉容器16内で高温熱処理を行い、SiC単結晶28とC原子供給基板17との間に金属Si融液18を介在させ液相エピタキシャル成長させる。種結晶となるSiC単結晶28は、C原子供給基板17よりも面積を小さくして、複数設置する。この種結晶28の上面部分に単結晶SiC20が生成されたときに、その単結晶SiC20の、C原子供給基板17に対向する方向と垂直な方向における周囲に金属Si融液18を存在させるようにする。こうして、単結晶炭化ケイ素20を、C原子供給基板17に対向する方向と垂直な方向(面積が広がる方向)に液相エピタキシャル成長させ、種結晶28よりも広面積の基板27を得る。種結晶となる単結晶炭化ケイ素は円形状に構成されている。種結晶となる単結晶炭化ケイ素は一つのC原子供給基板に対し複数設置される。単結晶炭化ケイ素基板を当初の種結晶よりも面積比で2倍以上成長させる。種結晶となる単結晶炭化ケイ素は、単結晶炭化ケイ素からなる板部材のC原子供給基板と対向する表面に設けられている凹凸のうち、相対的な凸の部分として構成されている。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 学校法人関西学院

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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