単結晶炭化ケイ素及びその製造方法

開放特許情報番号
L2011000169
開放特許情報登録日
2011/1/21
最新更新日
2011/12/2

基本情報

出願番号 特願2003-502272
出願日 2001/6/4
出願人 学校法人関西学院
公開番号 WO2002/099169
公開日 2002/12/12
登録番号 特許第4848495号
特許権者 学校法人関西学院
発明の名称 単結晶炭化ケイ素及びその製造方法
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 単結晶炭化ケイ素
目的 マイクロパイプ欠陥や界面欠陥等の発生が少ないとともに、幅広なテラスを有し表面の平坦度の高い、高品質、高性能な単結晶SiCを提供する。
効果 極薄Si融液層を用いた高温液相成長法であり、成長結晶表面と原料供給多結晶との間の厳密な温度差制御の必要がないこと、不純物添加の制御が可能である。また、育成された単結晶SiCは、内部に微結晶粒界がなく、成長表面のマイクロパイプ欠陥の密度が1/cm↑2以下であり、10μm以上のテラスと3分子層を最小単位とした多分子層ステップを有する。
技術概要
液相エピタキシャル法で形成した単結晶炭化ケイ素は、微結晶粒界の存在しない、表面のマイクロパイプ欠陥の密度が1/cm↑2以下である。表面は、3分子層を最小単位とした原子オーダーステップと、幅広のテラスと、を有し、テラスの幅が10μm以上である。種結晶となる単結晶炭化ケイ素基板と多結晶炭化ケイ素基板とを重ね、黒鉛製の密閉容器内に設置して、高温熱処理を行なうと、単結晶炭化ケイ素基板1と多結晶炭化ケイ素基板2、3との間に、熱処理中に極薄金属シリコン融液を介在させ、融液自身の蒸発分と、単結晶炭化ケイ素のエピタキシャル成長に消費されるシリコンに対して多結晶炭化ケイ素基板側から供給されるシリコン量との差分を別途設置したシリコン源から補給しながら単結晶炭化ケイ素基板1上に液相エピタキシャル成長する。熱処理に伴い単結晶SiC基板1と上部の多結晶SiC基板2との間に溶融したSiが侵入して、両基板1、2の界面に厚さ約30μm〜50μmのSi融液層を形成する。このSi融液層は、熱処理温度が高温になるほど、薄くなり、30μm程度となる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【有】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

アピール内容 ○US登録番号:7,527,869

登録者情報

登録者名称 学校法人関西学院

その他の情報

海外登録国 アメリカ合衆国
その他の提供特許
登録番号1 US:7527869
関連特許
国内 【無】
国外 【有】   
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