熱処理装置及びそれを用いた熱処理方法

開放特許情報番号
L2011000168
開放特許情報登録日
2011/1/21
最新更新日
2011/1/21

基本情報

出願番号 特願2003-333266
出願日 2003/9/25
出願人 学校法人関西学院
公開番号 特開2004-297034
公開日 2004/10/21
登録番号 特許第3741283号
特許権者 学校法人関西学院
発明の名称 熱処理装置及びそれを用いた熱処理方法
技術分野 機械・加工
機能 加熱・冷却、加圧・減圧
適用製品 熱処理装置
目的 次世代の単結晶SiCの形成に好適な、圧力10↑−↑2Pa以下又は予め圧力10↑−↑2Pa以下に到達した後に不活性ガスを導入した希薄ガス雰囲気下であっても短時間で1,200〜2,300℃に加熱することができる熱処理装置及びそれを用いて熱処理方法を提供する。
効果 真空又は希薄ガス雰囲気下において短時間で1,200℃〜2,300℃という高温に加熱できるため、従来の熱処理装置あるいは熱処理方法では得られなかった新規な材料を創作できる可能性がある。
技術概要
被処理物を圧力10↑−↑2Pa以下の真空において1,200℃〜2,300℃に加熱する加熱室2と、加熱室2に連結され、加熱室2に被処理物を移動するための移動手段10が設けられている前室4と、前室4に連結され、被処理物5を10↑−↑2Pa以下の真空において予め800℃以上に加熱する予備加熱室3と、を備えてなり、被処理物を収納した容器を覆うように、加熱室の内部に加熱ヒータが設けられており、その加熱ヒータの周囲に反射鏡が配置されており、容器は上容器と下容器とを嵌合してなり、被処理物はこの容器に収納された状態で加熱ヒータにより加熱される熱処理装置である。加熱室は、圧力10↑−↑5Pa以下の真空で被処理物を加熱するように構成されている。加熱室は、圧力10↑−↑2Pa以下の真空とすることに代えて、圧力10↑−↑2Pa以下の真空に到達した後に不活性ガスを導入した希薄ガス雰囲気下において被処理物を加熱するように構成されている。予備加熱室の加熱手段は、ランプ式加熱手段である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【有】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 学校法人関西学院

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【無】   
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