半導体基板表面の微細ファセット形状作製方法

開放特許情報番号
L2011000167
開放特許情報登録日
2011/1/21
最新更新日
2011/1/21

基本情報

出願番号 特願2003-059871
出願日 2003/3/6
出願人 学校法人関西学院
公開番号 特開2004-273610
公開日 2004/9/30
登録番号 特許第4235709号
特許権者 学校法人関西学院
発明の名称 半導体基板表面の微細ファセット形状作製方法
技術分野 無機材料
機能 表面処理、材料・素材の製造
適用製品 半導体基板表面の微細ファセット形状作製システム
目的 各種の半導体基板表面に自在にファセット制御された微細構造体を作製する方法を提供する。
効果 任意の微細なファセット形状を半導体基板表面に形成できる。このため、各種半導体デバイスはもとより、生体分子手術基板等への適用も可能となる。
技術概要
所定の結晶方位を有した単結晶半導体基板1表面に、集束イオンビームを照射して、単結晶半導体基板1表面を選択的に損傷領域化して、この選択的に損傷領域化した単結晶半導体基板1表面を極薄の融液層4に面するようにして、この融液層4を他の半導体基板5と挟み込み、単結晶半導体基板1から他の半導体基板5に対して温度勾配が形成されるようにして熱処理を行い、損傷領域化した部分を選択的にエッチングさせて、単結晶半導体基板1表面にファセット制御された微細構造物8を形成する。高温側の単結晶半導体基板から低温側の他の半導体基板に対して温度勾配を形成して熱処理を行い、損傷領域化した部分を選択的にエッチング又は選択的にエピタキシャル成長させて、単結晶半導体基板表面に凹型のファセット制御された微細構造体を形成する。半導体基板は、GaAs、AlGaAs、InGaAs、InGaAlAs、Si、InP、SiCのいずれかである。単結晶半導体基板の結晶方位は、(100)、(110)、(111)面のいずれかである。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 学校法人関西学院

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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