無機多層レジストのイオンビーム注入リソグラフィーによるSi半導体微細構造体の加工方法

開放特許情報番号
L2011000165
開放特許情報登録日
2011/1/21
最新更新日
2011/1/21

基本情報

出願番号 特願2001-377075
出願日 2001/12/11
出願人 財団法人新産業創造研究機構
公開番号 特開2003-179031
公開日 2003/6/27
登録番号 特許第4042893号
特許権者 学校法人関西学院
発明の名称 無機多層レジストのイオンビーム注入リソグラフィーによるSi半導体微細構造体の加工方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造、表面処理
適用製品 無機多層レジストのイオンビーム注入リソグラフィーによるSi半導体微細構造体
目的 ドライエッチング用マスクを形成することなく、Si基板表面に量子デバイスに用いられる微細回路パターンを形成するイオンビーム微細加工方法を提供する。
効果 Siウェハー基板表面に、Al層及びSiアモルファス層を形成し、その表面に自然に形成されている表面自然酸化膜を除去することなく、その表面自然酸化膜に金属イオンを注入することによって、反応性エッチングガスによってエッチングされない化学的に安定なSiO↓2やAl↓xO↓yを形成することができ、さらに、金属イオンの注入量を制御することによって、Siウェハー基板表面に形成されるパターンをポジ型、ネガ型のいずれにも加工することが可能となる。
技術概要
Siウェハー基板1表面にAl層2を形成し、さらに、Al層2表面にSiアモルファス層3を形成した後、Siアモルファス層3表面にイオンビームを任意の形状に選択吸収できるマスク5を通して金属イオン6を所要の形状に注入し、Siアモルファス層3表面に自然に形成されている表面自然酸化膜の存在又は酸素分子放射のもとでの金属イオン打ち込みにより、表面自然酸化膜4を選択的に強制酸化膜Si↓xO↓yに置換又は生成させ、更にイオンの打ち込み量を増やし、前記強制酸化膜Si↓xO↓yからのOイオンの伝播及びSiアモルファス層のスパッタリングによりAl層の一部にAl↓xO↓yを生成させた後、Siウェハー基板表面を反応性エッチングガスにより一原子層単位でドライエッチングし、強制酸化膜Si↓xO↓y及びAl↓xO↓yに置換した部分以外の表面自然酸化膜、Siアモルファス層、Al層及びSiウェハー基板の一部を除去する無機多層レジストのイオンビーム注入リソグラフィーによるSi半導体微細構造体の加工方法である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【 】
改善効果1 原子サイズの異なるAl↓xO↓yやSi↓xO↓yを形成することができるため、回路パターンの設計の自由度が広がり、多様な量子デバイス特性を生かした有用な素子、例えば量子細線、量子箱、回折格子、マイクロマシンの実現も可能となる。

登録者情報

登録者名称 学校法人関西学院

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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