イオンビーム微細加工方法

開放特許情報番号
L2011000164
開放特許情報登録日
2011/1/21
最新更新日
2011/9/22

基本情報

出願番号 特願2001-238972
出願日 2001/8/7
出願人 学校法人関西学院
公開番号 特開2003-051488
公開日 2003/2/21
登録番号 特許第4803513号
特許権者 学校法人関西学院
発明の名称 イオンビーム微細加工方法
技術分野 機械・加工、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 イオンビーム微細加工システム
目的 GaAsを含むGa↓xIn↓1↓−↓xAs↓yP↓1↓−↓y層表面に、自然に形成されているAs↓2O↓3、As↓2O、Ga↓2O等の表面酸化膜を予め除去する必要性がなく、また、複雑で微細化された回路パターンを形成するためのドライエッチング用マスクを形成することなく、Ga↓xIn↓1↓−↓xAs↓yP↓1↓−↓y層表面に、量子デバイスに用いられる微細な回路パターンを形成するイオンビーム微細加工方法を提供する。
効果 従来のようにエッチングの際にエッチング用マスクを使用することなく表面に任意の回路パターンを加工することができる。多様な量子デバイス特性を生かした有用な素子例えば量子細線、量子箱、回折格子、マイクロマシンの実現も可能となる。
技術概要
単体のGaAs及びInP基板を含む、Ga↓xIn↓1↓−↓xAs↓yP↓1↓−↓y(0≦x、y≦1)層表面に、任意のイオンビーム径、イオン電流密度に制御したGaイオンを注入し、Ga↓xIn↓1↓−↓xAs↓yP↓1↓−↓y層表面に形成されている表面酸化膜の存在又は酸素分子照射のもとでのGaイオン打ち込みにより酸化層を選択的にGa↓2O↓3又はGa↓2Oに置換又は生成させた後、Ga↓xIn↓1↓−↓xAs↓yP↓1↓−↓y層表面を臭素化物により一原子層単位でドライエッチングし、Ga↓2O↓3又はGa↓2Oに置換した部分以外の表面酸化膜及びGa↓xIn↓1↓−↓xAs↓yP↓1↓−↓y基板を除去するネガ型リソグラフィを可能にするイオンビーム微細加工方法である。GaAs層1表面に自然に形成されているAs↓2O↓3等の表面酸化膜2を除去することなく、この表面酸化膜2の表面に向ってイオンビーム径を0.5μm以下、好ましくは0.3μm以下、更に好ましくは0.1μm以下に絞ったGaイオン4を真空中で照射して、表面酸化膜2にGaイオンを注入する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【 】
改善効果1 一原子層毎にエッチングすることが可能であるため、Ga↓xIn↓1↓−↓xAs↓yP↓1↓−↓y層の結晶方位によって、形成される溝の形状を自在に制御可能とできる。

登録者情報

登録者名称 学校法人関西学院

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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