超伝導単一光子検出器の部品の実装方法

開放特許情報番号
L2011000101
開放特許情報登録日
2011/1/14
最新更新日
2015/12/4

基本情報

出願番号 特願2009-106334
出願日 2009/4/24
出願人 独立行政法人情報通信研究機構
公開番号 特開2010-258208
公開日 2010/11/11
登録番号 特許第5344393号
特許権者 国立研究開発法人情報通信研究機構
発明の名称 超伝導単一光子検出器の部品の実装方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 超伝導単一光子検出素子
目的 光子との光カップリング性および光吸収性の両方に優れた超伝導単一光子検出素子を提供する。また、超伝導単一光子検出素子の製造方法を提供する。更に、超伝導単一光子検出素子が実装された超伝導単一光子検出器(SSPD)の部品の実装方法を提供する。
効果 光子との光カップリング性および光吸収性の両方に優れた超伝導単一光子検出素子が得られる。また、超伝導単一光子検出素子の製造方法も得られる。更に、超伝導単一光子検出素子が実装されたSSPDの部品の実装方法も得られる。
技術概要
図1は超伝導単一光子検出素子を模式的に示した図である。超伝導単一光子検出素子100は、酸化マグネシウムからなる基板10と、基板10の表面に形成された窒化ニオブ配線13と、窒化ニオブ配線13上に形成されたキャビティ層12と、キャビティ層12上に形成された反射層11と、基板10の裏面に形成された反射防止層14と、を備える。窒化ニオブ配線13は、所定のバイアス電流が流れるよう、伝送線路15を介してバイアス源に接続され、超伝導状態において使用される。基板10の裏面側から窒化ニオブ配線13に光子Pが入射した際の窒化ニオブ配線13の抵抗変化に基づいて、光子Pが1個ずつ検出される。光カップリング効率Pcが飽和する基板10の厚み範囲L1opt内に、基板10の厚みL1が設定されている。図2は超伝導単一光子検出素子による光子の検出法の説明に用いる模式図である。図3は超伝導単一光子検出素子の製造方法の各工程を示した断面図である。図4はSSPDの構成の説明およびSSPDの部品の実装方法の説明に用いる図である。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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