SOI基板

開放特許情報番号
L2011000069
開放特許情報登録日
2011/1/7
最新更新日
2018/1/8

基本情報

出願番号 特願2012-538690
出願日 2011/10/12
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 WO2012/050122
公開日 2012/4/19
登録番号 特許第5665202号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 SOI基板
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造
適用製品 SOI基板
目的 I層に炭素系材料を用いた、レアメタルフリーで冷却機構を有しないSOI基板における従来の課題を解決して、パワー半導体デバイス用SOI基板への応用が可能な、高熱伝導性かつ高絶縁性なSOI基板を提供する。
効果 従来のSOI基板の課題である、高熱伝導性かつ高絶縁性を有したSOI基板を得ることができ、パワー半導体デバイス用基板として用いることが可能となる。
電気自動車やハイブリッド自動車、モーター制御用インバーターなど、あらゆるパワー半導体デバイスへの利用が可能であり、非常に重要な技術である。
技術概要
本発明は、従来の絶縁層(I層)として炭素膜を用いたSOI基板の問題点と、HFCVD法でのダイヤモンド合成の問題点の両方を同時に解決し、レアメタルフリーで冷却機構を有しないパワー半導体デバイス用SOI基板を提供することを目的とするものであって、該SOI基板において、炭素膜とマイクロ結晶ダイヤモンド膜のハイブリット構造を有するI層をすることにより、好ましくは、さらにシリコン基板と炭素膜の間にシリコン酸化膜(SiO↓2膜)を設けたI層とすることにより、高耐圧かつ高熱伝導性を有する、パワー半導体デバイス用SOI基板を提供することができる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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