ダイヤモンド電子素子及びその製造方法

開放特許情報番号
L2011000066
開放特許情報登録日
2011/1/7
最新更新日
2015/10/1

基本情報

出願番号 特願2010-230124
出願日 2010/10/13
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2012-084703
公開日 2012/4/26
登録番号 特許第5540296号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 ダイヤモンド電子素子及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造、加圧・減圧
適用製品 ダイヤモンド電子素子及びその製造方法
目的 欠陥密度が低減したドリフト層を有する高出力ダイヤモンド電子素子を提供する。
効果 製造工程中で除去する単結晶ダイヤモンド基板上に、直接ダイヤモンド半導体からなるドリフト層を成長形成することが可能となったので、欠陥の少ないドリフト層を形成することができる。また、スマートカット法ではイオン注入により欠陥層を導入するが、欠陥層導入においても転位は発生せず、p−ドリフト層は低欠陥が保たれる。
ショットキーダイオード、pn接合ダイオード、pin接合ダイオードなど各種ダイオード、サイリスタ、FETなどの半導体素子として用いることができる。
技術概要
ダイヤモンド半導体からなるドリフト層と、半絶縁性ダイヤモンド層を有する構造保持材と、ダイヤモンド半導体からなるコンタクト層とを備えるダイヤモンド電子素子であって、前記構造保持材は、開口部を有し、前記ドリフト層の一方の面に積層されており、前記コンタクト層は、前記開口部内において、前記ドリフト層に直接積層されており、また、アノード電極は、前記開口部内の前記コンタクト層に設け、カソード電極は前記ドリフト層の他方の面に設けて、例えば、ショットキーバリアダイオードを実現する。単結晶ダイヤモンド基板の一方の基板面に欠陥層を形成した後、該基板面上に前記ドリフト層を成膜し、半絶縁性ダイヤモンド層を選択的に成長させて開口部を有する構造保持材を形成した後、前記基板はスマートカット法により素子部より分離する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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