ダイヤモンド電子素子及びその製造方法

開放特許情報番号
L2011000065
開放特許情報登録日
2011/1/7
最新更新日
2015/10/1

基本情報

出願番号 特願2010-230120
出願日 2010/10/13
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2012-084702
公開日 2012/4/26
登録番号 特許第5532248号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 ダイヤモンド電子素子及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造、機械・部品の製造
適用製品 ダイヤモンド電子素子及びその製造方法
目的 欠陥密度が低減したドリフト層を有する高出力ダイヤモンド電子素子を提供する。
効果 高品質半絶縁性単結晶ダイヤモンドを構造保持材として、該構造保持材に、ダイヤモンド半導体からなるドリフト層、ダイヤモンド半導体からなるコンタクト層の順でエピタキシャル成長により積層構造を形成するので、下地基板からの引き継がれる欠陥や膜中で発生する欠陥が低減したドリフト層を実現できる。即ち、高品質半絶縁性単結晶ダイヤモンド基板上に直接p↑−ドリフト層をエピタキシャル成長させ、その後p↑+コンタクト層を成長させるため、p↑−/p↑+積層構造であってもp↑−ドリフト層の欠陥密度を大幅に減らすことができる。
技術概要
半絶縁性単結晶ダイヤモンド基板の一方の面に、p↑−ダイヤモンド層からなるドリフト層を成膜し、該ドリフト層の上にp↑+ダイヤモンド層からなるコンタクト層を成膜する工程と、前記基板の他方の面に開口部をエッチングにより形成して、前記基板を構造保持材として前記ドリフト層の一部が露出した露出部を形成する工程と、前記露出部にカソード電極を設け、前記コンタクト層にアノード電極を設ける工程とにより、ダイヤモンド電子素子の積層構造を形成する。ドリフト層を基板上に直接成膜するので、欠陥密度の減少した素子を得ることができる。
ショットキーダイオード、pn接合ダイオード、pin接合ダイオードなど各種ダイオード、サイリスタ、FETなどの半導体素子として用いることができる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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