電子素子及び電気伝導度制御方法

開放特許情報番号
L2011000055
開放特許情報登録日
2011/1/7
最新更新日
2013/9/26

基本情報

出願番号 特願2009-530090
出願日 2008/8/22
出願人 国立大学法人 岡山大学
公開番号 WO2009/028426
公開日 2009/3/5
登録番号 特許第5309397号
特許権者 国立大学法人 岡山大学
発明の名称 電子素子及び電気伝導度制御方法
技術分野 電気・電子
機能 制御・ソフトウェア
適用製品 コンピュータ用論理素子、大電流スイッチ回路、トランジスタ素子、メモリ素子等
目的 従来のシリコントランジスタでは、半導体接合界面には自然発生的に電位差が生じる。この内部電界による電位差は、例えばシリコンpn接合では0.7V程度である。このため、シリコントランジスタでは、微小な電圧の制御をすることができず、例えば、コンピュータ用の論理素子であっても、0.7V以下で動作する論理素子は、作成することが困難であった。 この発明は、微小な電場の印加に応じて内部の電子の状態が変化し、それによって電気伝導度を変化させることが可能な電子素子及び電気伝導度制御方法の提供を目的とする。
効果 電子素子は、電気伝導度変化体は、RFe↓2O↓4を含むので、電場付与手段によって与えられた微小な電場に応じて電気伝導度が変化する電子素子を得ることができる。
技術概要
電子素子1は、電場に応じて電気伝導度が変化する電気伝導度変化体2と、電気伝導度変化体2に電場を与える電場付与器3とを備える。 電気伝導度変化体2は、RFe↓2O↓4を含み、電場付与器3によって外部から印加される電場4に応じて内部の電子の状態が変化することで、その電気伝導度が変化する。 これにより、小さい電場の印加に応じて電気伝導度を変化させることが可能な電子素子が実現される。
イメージ図
実施実績 【試作】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【無】   
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