電子素子及び電気伝導度制御方法

開放特許情報番号
L2011000054
開放特許情報登録日
2011/1/7
最新更新日
2013/7/19

基本情報

出願番号 特願2009-530089
出願日 2008/8/22
出願人 国立大学法人 岡山大学
公開番号 WO2009/028424
公開日 2009/3/5
登録番号 特許第5273621号
特許権者 国立大学法人 岡山大学
発明の名称 光検出素子及び太陽電池素子
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 入射した光のエネルギに応じて電気伝導度が変化する電気伝導度変化体を備えた電子素子、例えば、光センサ、太陽電池
目的 低いエネルギの光の入射に応じて内部の電子の状態が変化し、それによって電気伝導度を変化させることが可能な電子素子及び電気伝導度制御方法の提供を目的とする。
効果 電子素子は、電気伝導度変化体にRFe↓2O↓4を含んでいるので、低いエネルギの光に応じて電気伝導度が大きく変化する。
技術概要
電子素子1は、入射した光3のエネルギに応じて電気伝導度が変化する電気伝導度変化体2を備える。 電気伝導度変化体2は、RFe↓2O↓4を含み、低いエネルギの光の入射に応じて内部の電子の状態が変化することで、その電気伝導度が変化する。これにより、低いエネルギの光に応じて電気伝導度を変化させることが可能な電子素子が実現される。
イメージ図
実施実績 【試作】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【無】   
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