| 出願番号 |
特願2008-222351 |
| 出願日 |
2008/8/29 |
| 出願人 |
国立大学法人 岡山大学 |
| 公開番号 |
特開2010-053006 |
| 公開日 |
2010/3/11 |
| 登録番号 |
特許第5626946号 |
| 特許権者 |
国立大学法人 岡山大学 |
| 発明の名称 |
酸化物、電気導体、ｐ型半導体、及びｎ型半導体 |
| 技術分野 |
電気・電子、無機材料、その他 |
| 機能 |
材料・素材の製造、加熱・冷却、その他 |
| 適用製品 |
電流制御素子、電圧信号記憶素子、誘電体素子、光感知素子、太陽電池等 |
| 目的 |
この発明は、バンドギャップ等の電気特性を任意の値に制御できる酸化物及び電気特性を任意の値に制御する方法を提供する。 |
| 効果 |
この発明によれば、酸化物の電気特性を任意の値に制御する方法を提供できる。また、毒性のない材料であって、遠赤外域から可視光域までバンドギャップの制御が可能な酸化物を提供できる。 |
技術概要
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電気導体のバンドギャップは、通常、伝導バンドと禁制バンドとを構成する結晶構造によって決定されている。このため、バンドギャップの大きさを変えることは困難である。この発明は、バンドギャップ等の電気特性を任意の値に制御できる酸化物を提供するものである。この発明に用いられる酸化物は、（ＲＭ↓２Ｏ↓４）↓ｍ（ＲＭＯ↓３）↓ｎの分子式を有するもので、式中のＲは、Ｓｃ、Ｙ、Ｄｙ、Ｌｕ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｔｍ、Ｈｏ及びＩｎからなる群より選択される１又は２以上の元素であり、Ｍは、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｍｇ及びＧａからなる群より選択される１又は２以上の元素であり、ｍは１又は２であり、ｎは０以上の整数である。具体的には、Ｆｅ↓２Ｏ↓３、Ｙｂ↓２Ｏ↓３ＣａＣＯ↓３を原子比でＹｂ：Ｃａ：Ｆｅ＝０．９９：０．０１：２となる様に秤量し、ボールミルなどで粉砕した後プレス機で成形する。この成形物を大気中で８００ ℃、１０時間仮焼した後、ＣＯ／ＣＯ↓２混合ガス中で１２００℃、２４時間焼成して、Ｙｂ↓０↓．↓９↓９Ｃａ↓０↓．↓０↓１Ｆｅ↓２が得られる。 |
| イメージ図 |
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| 実施実績 |
【試作】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
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| 特許権実施許諾 |
【可】
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