電界効果トランジスタ

開放特許情報番号
L2010006334
開放特許情報登録日
2010/12/10
最新更新日
2015/7/28

基本情報

出願番号 特願2010-212189
出願日 2010/9/22
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2012-069662
公開日 2012/4/5
登録番号 特許第5740643号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 電界効果トランジスタ
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造
適用製品 電界効果トランジスタ
目的 低消費電力で動作する論理回路に応用できる電界効果トランジスタを提供する。
効果 バリアーがあるソース電極を用い、熱電子放出により流れる動作電流をゲート電圧により制御することにより、トランジスタの動作電流を低減し、より低消費電力で動作可能な電界効果トランジスタが得られる。
動作電流量の小さい論理回路が形成可能となるため、小型電子機器の集積回路の消費電力を下げることが可能となる。またワイドギャップ半導体材料を用いれば、高温で動作可能な消費電力の小さな論理回路が形成できる。
技術概要
ソース電極とソース電極が接する半導体の伝導帯又は価電子帯との間に障壁を有しており、ソース電極から障壁を通して流れ込む電子又はホールをゲート電圧により調整できる構成を有することを特徴とするnチャンネル又はpチャンネルの電界効果トランジスタ。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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