電界効果トランジスタ及びその製造方法     

開放特許情報番号
L2010006331
開放特許情報登録日
2010/12/10
最新更新日
2015/10/1

基本情報

出願番号 特願2010-208052
出願日 2010/9/16
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2012-064775
公開日 2012/3/29
登録番号 特許第5522688号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 電界効果トランジスタ及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 電界効果トランジスタ及びその製造方法
目的 複合酸化物の単結晶をチャンネルに用いたFETに電界効果のみで10↑13cm↑−2以上の高濃度のキャリアを注入することと、キャリアの移動度が室温でも10cm↑2/Vsに達するほどに理想的なチャンネルとの界面を得ることを共に可能にするゲート絶縁膜を有する電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供する。
効果 積層型ゲート絶縁膜を用いることにより、パラキシリレンをゲート絶縁膜に用いた場合の良質なチャンネル界面の形成という利点を保ったまま、複合酸化物からなるチャンネル層へ1.5×10↑13cm↑-2ものキャリアを注入することができて、さらに、キャリアの移動度が室温で10cm↑2/Vsにまで達する。
本発明を、ペロブスカイト構造を有する複合酸化物の強相関電子材料に適用することによって、モット転移を利用したモットFETを実現化することが可能になる。
技術概要
チャンネル層を構成するペロブスカイト構造の複合酸化物単結晶基板と、該複合酸化物単結晶基板上にパラキシリレンのポリマー膜及び酸化タンタルがこの順に積層された積層構造からなるゲート絶縁膜とを有する電界効果トランジスタ。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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