有機薄膜半導体装置及びその製造方法

開放特許情報番号
L2010006316
開放特許情報登録日
2010/12/10
最新更新日
2015/10/1

基本情報

出願番号 特願2010-195270
出願日 2010/9/1
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2012-054371
公開日 2012/3/15
登録番号 特許第5610387号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 有機薄膜半導体装置及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 ボトムコンタクト型の有機薄膜半導体装置及びその製造方法
目的 製造プロセスを簡便なものとしつつ、高移動度、低コンタクト抵抗、低閾電圧及び低サブシュレッシュホールド値を同時に実現する高性能の有機薄膜半導体装置及びその製造方法を提供すること。
効果 製造プロセスを簡便なものとしつつ、高移動度、低コンタクト抵抗、低閾電圧及び低サブシュレッシュホールド値を同時に実現することができるので、有機薄膜トランジスタ等の各種半導体デバイスの分野において、広く利用することができる。
技術概要
ボトムコンタクト型であって、前記電極の側面のうち、少なくとも前記絶縁層に接する位置に、前記有機半導体層側から前記絶縁層側に向けて幅広となるテーパ状の勾配を有する電極端部が形成され、前記電極端部の前記絶縁層の層方向に対する前記勾配の傾きで表わされる立ち上がり角度が、下記式(1)で決定される前記有機半導体層を形成する有機分子の成長許容角度θ↓max(度)以下であることを特徴とする有機薄膜半導体装置。
θ↓max=tan↑−1(e/d) ・・・(1)
ただし、前記式(1)において、dは、前記有機分子の結晶粒の厚みを示し、eは、前記有機分子1層分の厚みを示す。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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