非晶質薄膜の結晶化装置及び方法、並びに薄膜トランジスタの製造方法

開放特許情報番号
L2010006149
開放特許情報登録日
2010/12/3
最新更新日
2013/4/17

基本情報

出願番号 特願2008-270942
出願日 2008/10/21
出願人 国立大学法人埼玉大学
公開番号 特開2010-103160
公開日 2010/5/6
登録番号 特許第5207535号
特許権者 国立大学法人埼玉大学
発明の名称 非晶質薄膜の結晶化装置及び方法、並びに薄膜トランジスタの製造方法
技術分野 機械・加工
機能 材料・素材の製造
適用製品 薄膜トランジスタ、アモルファス薄膜、多結晶薄膜
目的 大気中でプラズマジェットを照射することにより、非晶質薄膜を溶融し、結晶化させる方法において、より短時間で、均一な多結晶薄膜を得ることができる非晶質薄膜の結晶化装置及び結晶化方法、並びに薄膜トランジスタの製造方法の提供。
効果 ライン状のプラズマジェットを生成し、非晶質薄膜の溶融・結晶化を行うため、従来の点状のプラズマジェットに比べて、より短時間で、均一な多結晶薄膜を得ることができる非晶質薄膜の結晶化装置及び結晶化方法、並びに薄膜トランジスタの製造方法を提供することが可能となる。
技術概要
この技術では、表面に所定膜厚の非晶質薄膜を形成した絶縁基板を、非晶質薄膜が上向きになるように載置するためのステージと、非晶質薄膜と対向する位置に設けられ、内部に所定のプラズマ発生ガスを導入してプラズマジェットを発生し、非晶質薄膜に対して照射したプラズマ照射領域を上から取り囲むトンネル状の被覆部材を備える。また、被覆部材の頂部外面に被覆部材の長手方向に線状に接触した状態で配設される上側電極と、絶縁基板の下方であって、かつ上側電極と対向して配設される下側電極と、上側電極及び下側電極に高周波電力を供給するための高周波電源を具える。プラズマジェットの発生は、被覆部材中で、プラズマ生成ガスに対して、高密度の誘導電力を加えてプラズマ化することにより、10000K以上のプラズマジェットを生成し、大気中で非晶質薄膜に対して照射することで、非晶質薄膜を結晶化する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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